Процесс - перенос - носитель
Cтраница 1
Процесс переноса носителей в этот временной интервал является близким к диффузионному с примерно линейным распределением заряда в обеих базах. [1]
Процессы переноса носителей в сверхрешетках контролируются отчасти теми же механизмами, которые ограничивают подвижность электронов в инверсионных слоях иа кремнии. [2]
Такое кажущееся изменение коэффициента диффузии объясняется влиянием электрического поля на процесс переноса носителей. [3]
Во множителе перед экспонентой в отличие от формулы (1.9) имеется коэффициент 2, который отражает влияние электрического поля на процесс переноса носителей. Это связано с тем, что при высоком уровне инжекции концентрация как неосновных, так и основных носителей определяется числом инжектированных носителей и не зависит от содержания примесей в полупроводнике. [4]
 |
Энергетическая зонная диаграмма гомогенного перехода Шокли при прямом напряжении смещения V и отсутствии освещения. [5] |
В диоде Шокли с гомогенным переходом протекание тока обусловлено поступлением неосновных носителей заряда в квазинейтральную область за счет диффузии, и их последующей рекомбинацией и влиянием обедненного слоя на процесс переноса носителей можно пренебречь. Полагают, что обедненный слой совершенно прозрачен для инжектируемых электронов, причем при х хр ихх электроны находятся в состоянии теплового равновесия с носителями заряда в каждой из энергетических зон. Вывод соотношения для электронного тока на границе обедненного слоя ( х хр) требует решения уравнения переноса (1.16) для квазинейтральной области р-типа при соответствующих граничных условиях. Поскольку этот ток должен быть равен полному току электронов, инжектируемых в квазинейтральную область р-типа, то интеграл в уравнении (2.1), таким образом, уже найден. Аналогичные приемы применяются и при рассмотрении инжекции дырок в квазинейтральную область и-типа. [6]
Под влиянием поля краевого эффекта время переноса заряда может очень сильно уменьшиться, причем в наибольшей степени этот эффект проявляется в области низких температур. При низких уровнях легирования исходной полупроводниковой подложки и малых длинах потенциальных ям относительный вклад процесса переноса носителей может оказаться преобладающим. [7]
 |
Временная зависимость относительной величины оставшегося в потенциальной яме заряда Q / Qo и эффективности переноса заряда ц. [8] |
Под влиянием поля краевого эффекта время переноса заряда может очень сильно уменьшаться, причем в наибольшей степени этот эффект проявляется в области низких температур. При низких уровнях легирования исходной полупроводниковой подложки и малых длинах потенциальных ям относительный вклад процесса переноса носителей может оказаться преобладающим. [9]
Дилатация, связанная с ангармоничностью, может быть описана моделью нелинейного расширения дислокаций [11 ], дающей возможность вычислить среднюю дилатацию AWF. Использование этой модели позволило проследить [12] влияние среднего нелинейного расширения равномерно распределенных дислокаций на электромагнитные явления, связанные с процессами переноса носителя внутри металлов. [10]
Дилатация, связанная с ангармоничностью, может быть описана моделью нелинейного расширения дислокаций [7], дающей возможность вычислить среднюю дилатацию AWV. Использование этой модели позволило проследить [ 81 влияние среднего нелинейного расширения равномерно распределенных дислокаций, на электромагнитные явления, связанные с процессами переноса носителя внутри металлов. При этом не использовалась детальная модель потенциала деформации, а принималась предположительная зависимость электромагнитных параметров от величины нелинейного расширения, содержащая коэффициенты, значение которых, вообще говоря, неизвестно. [11]
В этом случае фототек диода в основном состоит из носителей, генерированных в слаболегированной относительно широкой базовой области. Соответственно переходные характеристики фотодиода определяются в основном свойствами базовой области. В этом случае процесс переноса носителей через базу очень близок к процессу переноса носителей в транзисторе, включенном по схеме с общей базой. Различие состоит лишь в том, что в транзисторе избыточная концентрация неосновных носителей создается за счет инжекции, а в фотодиоде - за счет генерации светом. [12]
В этом случае фототек диода в основном состоит из носителей, генерированных в слаболегированной относительно широкой базовой области. Соответственно переходные характеристики фотодиода определяются в основном свойствами базовой области. В этом случае процесс переноса носителей через базу очень близок к процессу переноса носителей в транзисторе, включенном по схеме с общей базой. Различие состоит лишь в том, что в транзисторе избыточная концентрация неосновных носителей создается за счет инжекции, а в фотодиоде - за счет генерации светом. [13]
Естественно, что в полимерах с полностью сопряженными связями внутримолекулярная проводимость очень высока. Предложенная Литтлом модель проводимости в полимерах предполагает неограниченную связность системы. В реальных системах следует учитывать конечность величины молекулярной массы и обусловленное этим усложнение процесса переноса носителей. [14]
При изучении электрических характеристик полимерных полупроводников обычно наталкиваются на значительные трудности, так как большинство из полимеров ( особенно синтетических) ( получаются только в порошкообразном виде. Поликристаллические полимеры ( а тем более монокристаллы) в настоящее время получить практически невозможно, так как полимеры с сопряженными связями, как правило, содержат аморфную фазу. За исключением нескольких единичных случаев, о которых будет сказано ниже, эффект Холла в этих веществах измерить не удается. Самое общее рассмотрение структуры полимеров с сопряженными связями приводит к выводу о ее чрезвычайной сложности, так как она характеризуется наличием молекул ( областей) с подвижными л-электронами и содержит либо межмолекулярные промежутки, в которых действуют дисперсионные силы, либо участки насыщенных ковалентных связей. Уже одно это свидетельствует о повышенной сложности процессов переноса носителей тока. [15]
Страницы: 1