Процесс - перенос - носитель - заряд
Cтраница 1
 |
Одномерная модель п-р - п ВЧ транзистора ( а и потока электронов в ней ( б. [1] |
Процесс переноса носителей заряда от эмиттера к коллектору на эквивалентной схеме отображается с помощью генератора тока гг. н, включенного параллельно коллекторному переходу. При инверсном включении имеет место обратная картина: коллектор инжектирует неосновные носители заряда в области базы, которые затем собираются эмиттером. [2]
Процесс переноса носителей заряда в гетеропереходах связан в основном с явлениями, происходящими в области границы раздела, что является существенным различием гомо - и гетеропереходов. Протекание тока в обедненном слое может быть вызвано рекомбинацией носителей, их туннелированием или туннелированием через энергетические уровни вблизи границы раздела в сочетании с рекомбинацией. Теоретический анализ перехода усложняется из-за наличия разрывов зоны проводимости и валентной зоны, а также вследствие возможности образования поверхностных диполей. Кроме того, наличие на границе раздела электрически заряженных состояний приводит к дополнительному искажению формы энергетических зон в области перехода. Теория кинетических явлений в гетеропереходах разработана менее глубоко, чем теория гомопереходов. [3]
 |
Концентрации легирующих примесей и распределение приложенного напряжения в гетеропереходах. [4] |
Процесс переноса носителей заряда через границу раздела гетероперехода был рассмотрен и более подробно [ Wu, Yang, 1979 ] с учетом квантовомеханического отражения носителей с энергией, превосходящей высоту барьера, и различия их эффективных масс в полупроводниках, образующих гетеропереход. [5]
Для описания процесса переноса носителей заряда в аморфных полупроводниках предложено несколько моделей зонной структуры. Общая для всех моделей посылка состоит в том, что в хвостах энергетических зон существуют локализованные состояния. Их появление связано с пространственными флук-туациями потенциала, обусловленными отсутствием упорядоченной структуры у аморфных материалов. [7]
В солнечных элементах процесс переноса носителей заряда в большей или меньшей степени зависит также от ряда других факторов, таких, например, как последовательное и шунтирующее сопротивления, изменение механизма переноса при высоких прямых напряжениях смещения, распределение концентрации легирующей примеси ( введенной диффузионным способом) и краевых эффектов. [8]
В дальнейшем будет более подробно рассмотрен процесс переноса носителей заряда при наличии электрического поля, в условиях высокого уровня инжекции и при нарушении принципа суперпозиции, а также будут обсуждаться граничные условия. [9]
Значительные краевые токи могут повлиять на процесс переноса носителей заряда, разделяемых барьером Шоттки. В приборах с барьером Шоттки данные эффекты таким же образом воздействуют на J0 и диодный коэффициент А, как и в гетеропереходах. [10]
Расчет удельных параметров распределенной модели, значения которых определяются одномерными процессами переноса носителей заряда в глубь диффузионной структуры. Эти параметры вычисляются из совместного решения одномерной системы уравнений непрерывности, переноса тока для носителей обоих знаков и уравнения Пуассона. Исходной информацией для расчетов на первом этапе являются параметры диффузионного профиля и электрофизические характеристики материала. [11]
Рассмотрение изменения T Q при вариациях приложенного напряжения как возмущения по отношению к характеристикам идеального элемента позволяет прогнозировать особенности процесса переноса фотогенериро-ванных носителей заряда, не прибегая к решению уравнения переноса в обедненном слое в неравновесных условиях. Поскольку этот метод анализа основан на линейной суперпозиции темнового тока и фототока в обедненном слое, он является приближенным. Во многих случаях его применение возможно при простом учете возмущений, относящихся ко всем составляющим и множителям в выражении для коэффициента собирания и возникающих при вариациях напряжения смещения и длины волны света. [12]
Уравнения (1.6) и (1.7) соответствуют электронному и дырочному токам, общая же плотность тока J Jn Jp. Для описания процесса переноса носителей заряда эти уравнения достаточно дополнить уравнениями непрерывности. [13]
В данном параграфе рассмотрены и сопоставлены несколько вариантов современной теории гетеропереходов. Поскольку модели процессов переноса носителей заряда приведены в многочисленных публикациях, обзорах [ Tansley, 1971; Van Ruyven, 1972 ] и монографиях [ Milnes, Feucht, 1972 ], мы ограничимся обсуждением наиболее общих вопросов, необходимых для понимания существа моделей и важных для описания солнечных элементов. [14]
К электронным относятся: электронные лампы, электроннолучевые трубки, вакуумные фотоэлементы и фотоэлектронные умножители. В этих приборах процесс переноса носителей заряда от катода к аноду происходит в вакууме и осуществляется исключительно катодными электронами. [15]
Страницы: 1 2