Процесс - перескок
Cтраница 2
Глесстон, Эйринг и Лейдлер предлагают гипотезу прототропи-ческого механизма перенапряжения. Это означает, что решающее значение приписывается процессу перескока протонов Н от одних молекул воды к другим молекулам воды. [16]
Совершенно очевидно, что при низкой концентрации легирующих примесей электронная проводимость определяется процессами перескока. Можно представить два основных механизма перескока: описанный выше процесс межсолитонных перескоков и перескоков с переменной длиной прыжка. Во втором случае электрон перемещается из одной потенциальной ямы в другую путем туннелирования. Вероятность перескока связана с различием в энергиях между состояниями, а также с расстоянием между потенциальными ямами. [17]
Почти линейно изменяется электронная проводимость некоторых полупроводниковых стекол в зависимости от давления. Вследствие увеличения объемной концентрации атомов ванадия ( V5 и V4) увеличивается и проводимость, обусловленная процессом перескока. [18]
 |
Кривая потенциальной энергии атома или элемента течения. [19] |
Эйринг на этом вопросе внимание не фиксируют, a priori полагая постоянство энергии активации. Эта априорность, в свою очередь, предполагает наличие готовой дырки около рассматриваемого элемента течения и независимость процессов перескока от процессов, происходящих поблизости. Связанность сегментов в кооперативную систему - макромолекулу и коррелированность движений сегментов смежных макромолекул вынуждают отказаться от этих априорных предположений. [20]
Эта энергия активации связана для низкомолекулярных жидкостей с теплотой испарения данной жидкости, поскольку удаление какой-то молекулы из среды окружающих ее молекул можно рассматривать или как процесс перескока, или как процесс испарения. [21]
Совершенно очевидно, что при низкой концентрации легирующих примесей электронная проводимость определяется процессами перескока. Можно представить два основных механизма перескока: описанный выше процесс межсолитонных перескоков и перескоков с переменной длиной прыжка. Во втором случае электрон перемещается из одной потенциальной ямы в другую путем туннелирования. Вероятность перескока связана с различием в энергиях между состояниями, а также с расстоянием между потенциальными ямами. [22]
На примере полупроводниковых полимеров мы установили, что самой вероятной общей причиной сигнала ЭПР, наблюдаемого в органических полупроводниках, является возникновение полярных состояний или комплексов с переносом заряда. В некоторых хорошо проводящих полимерах сигнал ЭПР вызывается носителями тока. Наиболее правдоподобным механизмом переноса тока в рассмотренных системах следует считать процесс активационных электронных перескоков. Сопоставляя электрические и магнитные свойства, мы пришли к выводу о возможном существовании тесной внутренней связи между этими свойствами органических полупроводников. [23]
Практически нет возможности применить этот метод для изучения диффузии в чистых кристаллах. Поэтому в случае галоге-нидов щелочных металлов он имеет значения лишь для исследования примесной проводимости. Cf наблюдается сужение) расположатся на прямой, наклон которой определит энтальпию активации процесса перескока. [24]
Когда электрон связи превращается в электрон проводимости, на его месте остается вакантное место, или дырка. Соседний электрон связи может переместиться и заполнить это вакантное место; тем самым дырка займет новое положение. На том месте, откуда удаляется валентный электрон, остается положительный ион, заряд которого по величине равен заряду электрона. Так как процесс перескока электронов повторяется неограниченно, происходит как бы перемещение дырки, что равносильно движению положительного заряда в кристалле. [25]
В первых двух главах постоянно подчеркивается раз. Молекулярные кристаллы можно очень хорошо очистить, используя хроматографию, дистилляцию, сублимацию и кристаллизацию. В этих веществах подвижность носителей заряда ограничивается небольшим д-пе-рекрыванием. Поэтому макроскопическое перемещение носителей заряда определяется процессами перескока электронов с одной молекулы на другую. Из-за прыжкового характера проводимости применение зонной теории к этим веществам затруднено, Второй класс органических полупроводников - полимеры-сильно отличается от первого. [26]
Более глубокое теоретическое обоснование этого предположения можно найти в работах Ландау [31] и Мотта [32], которые мы рассмотрим позднее. Экспериментальным обоснованием названных предположений можно считать высокое значение удельного сопротивления и полупроводниковые свойства рассматриваемых окислов. С точки зрения простой зонной модели эти вещества скорее должны были бы обладать металлической проводимостью, поскольку зона Зй-электроиов заполнена лишь частично. Исходя из предположения о локализованностя состояний 3d - электронов, можно представить себе возникновение электрического тока как процесс перескока электронов от иона к иону. [27]
В случае диффузии внедренных примесных атомов AVm естественно равно AV. Опыты показали, что величина AV для углерода и азота, растворенных в железе, очень невелика [58] и составляет всего лишь несколько процентов от молекулярного объема этих примесей в железе. Причина столь различного поведения совершенно подобных систем до настоящего времени полностью не выяснена. Элементарные соображения, связанные с размерами и упругой деформацией, не в состоянии объяснить такое поведение. Обнаружено, что AV для азота в ванадии меньше, чем AV для кислорода в ванадии, в то время как размеры иона азота больше, чем иона кислорода. Эти результаты подчеркивают необходимость значительно более тщательного анализа процессов перескока. Необходимо, в частности, учитывать электронные переходы в процессе перескока. Это особенно важно при расчетах диффузии в структурах с более выраженными ко-валентными связями. [28]
В случае диффузии внедренных примесных атомов AVm естественно равно AV. Опыты показали, что величина AV для углерода и азота, растворенных в железе, очень невелика [58] и составляет всего лишь несколько процентов от молекулярного объема этих примесей в железе. Причина столь различного поведения совершенно подобных систем до настоящего времени полностью не выяснена. Элементарные соображения, связанные с размерами и упругой деформацией, не в состоянии объяснить такое поведение. Обнаружено, что AV для азота в ванадии меньше, чем AV для кислорода в ванадии, в то время как размеры иона азота больше, чем иона кислорода. Эти результаты подчеркивают необходимость значительно более тщательного анализа процессов перескока. Необходимо, в частности, учитывать электронные переходы в процессе перескока. Это особенно важно при расчетах диффузии в структурах с более выраженными ко-валентными связями. [29]
Страницы: 1 2