Процесс - протекание - ток
Cтраница 1
Процесс протекания тока через выпрямляющий контакт существенно зависит от того, испытывают ли электроны соударения при прохождении через запорный слой. Первый случай ( наличие столкновений) реализуется тогда, когда длина свободного пробега / электрона меньше толщины запорного слоя d второй случай ( отсутствие столкновений) реализуется при обратном соотношении. Начнем с более простой - диодной теории. В этом случае механизм протекания тока через запорный слой ничем не отличается от протекания тока через вакуумный промежуток. [2]
Если процесс протекания тока хотя бы частично обусловлен туннели-рованием носителей заряда, как это происходит в солнечных элементах на основе Cu S-CdS и с МДП-структурой, то полагают, что Voc и ff могут в меньшей мере зависеть от температуры. Температурные зависимости фотоэлектрических параметров элементов с МДП-структурой в настоящее время изучены недостаточно глубоко. [4]
 |
Схема замещения двухэлек-тродной электролитической ячейки. [5] |
На процессы протекания тока в электролитической ячейке существенно влияет соотношение между скоростью электрохимической реакции и скоростью перемещения элементов, участвующих в реакции, к поверхности электрода. При малой скорости концентрация ионов в приэлектродной области падает, что приводит согласно уравнению Нернста к изменению потенциала электрода. Такое отклонение потенциала электрода от равновесного значения, вызванное замедленностью транспортировки элементов электрохимической реакции, называется концентрационной поляризацией. [6]
На процессы протекания тока в электролитической ячейке существенно влияет соотношение между скоростью электрохимической реакции и скоростью доставки участников реакции к поверхности электрода. При более замедленной транспортировке участников реакции концентрация ионов в приэлектроднои области падает, что приводит согласно уравнению Нернста к изменению потенциала электрода. Такое отклонение потенциала электрода от равновесного значения, вызванное замедленностью транспортировки участников электрохимической реакции, называется концентрационной поляризацией. [7]
Описание процесса протекания тока усложняется еще тем, что перенос носителей заряда в квазинейтральной области, допустим, р-типа проводимости определяется также и диффузией дырок по направлению к обедненному спою. Вследствие этого эффективная диффузионная длина носителей Ln или Lp зависит от координаты. Такие плотности тока могут быть достигнуты в солнечных элементах, работающих при концентрированном световом потоке. В условиях сильной освещенности становится существенным влияние сопротивления объема квазинейтральных областей и даже обедненного слоя на ток, значение которого под действием этих эффектов уменьшается при большом напряжении смещения. Когда перенос носителей заряда определяется в основном процессами, происходящими в квазинейтральных областях, ни одна из частей вольт-амперной характеристики не претерпевает существенных изменений, если только в структуру элемента не входят сверхтонкие диффузионные слои. При рекомбинационно-гене-рационном механизме протекания тока получаются несколько иные результаты, причем вольт-амперная характеристика изменяется наиболее значительно в области обратных напряжений смещения. [8]
Следовательно, процесс протекания тока в цепях эмиттер-база и база-коллектор сдвинут на время, равное времени диффузии дырок через базу транзистора. [9]
Из описания процесса протекания тока следует, что при постоянном токе в отличие от переменного тока плотность тока во всех точках цилиндрического проводника одинакова. [10]
Из описания процесса протекания тока следует, что при постоянном токе плотность тока во всех точках сечений цилиндрического проводника одинакова. Только при переменном токе, как будет показано дальше, имеет место неравномерное распределение тока. [11]
Из описания процесса протекания тока следует, что при постоянном токе в отличие от переменного тока плотность тока во всех точках цилиндрического проводника одинакова. Эту скорость не следует смешивать со средней скоростью уср направленного движения электронов, которая очень мала даже по сравнению со скоростью теплового движения и имеет значения от миллиметров до долей миллиметра в секунду. [12]
Из описания процесса протекания тока следует, что при постоянном токе, в отличие от переменного тока ( § 3 - 6), плотность тока во нсех точках цилиндрического проводника одинакова. [13]
Кроме этого, существенно различаются процессы протекания токов через болометры и терморезисторы. Низкочастотный ток равномерно протекает через толщу терморезисторов, токи СВЧ текут по поверхности. Именно для уменьшения этих различий терморезисторы выполняются в виде тел малого объема, а пленочные болометры - малой толщины. [14]
Предложено несколько моделей для описания процесса протекания тока в различных типах гетеропереходов. [15]
Страницы: 1 2 3