Процесс - смещение
Cтраница 4
Рассеяние энергии, таким образом, будет связано с процессами смещения атомов, ионизации и возбуждения. [46]
Для реакций замещения различают два основных механизма: диссоциативный и процесс смещения. [47]
 |
Изменение намагниченности предварительно размагниченного ферромагнетика при. [48] |
Область парапроцессов располагается в очень сильных полях, где все процессы смещения и вращения закончены. [49]
При воздействии нейтронного излучения основными первичными процессами в радиоматериалах являются процессы смещения атомов в кристаллической решетке. Эти процессы могут приводить к нарушению структуры кристаллической решетки, а также ионизировать вещества. [50]
В стали 20 при небольших сжимающих деформациях, вызывающих в основном процессы смещения 90 доменных границ, формируется текстура, при которой векторы намагниченности в отдельных кристаллитах направлены вдоль осей легкого намагничивания [100] ближайших к направлению, перпендикулярному оси действующих напряжений, поскольку АНЮ и а0 имеют разные знаки. При этом за счет увеличения углов разориентации векторов намагниченности между отдельными кристаллитами возможно увеличение необратимых смещений 90 доменных границ. По мере формирования текстуры перпендикулярной оси образца, затрудняются процессы перемагничивания за счет смещений 180 доменных границ. [51]
 |
Экспериментальная и теоретическая кривые магнитострикции для монокристаллов Fe в направлении. [52] |
Завершив рассмотрение теории начальной восприимчивости и коэрцитивной силы как в области процессов смещения, так и в области процессов вращения, можно сделать несколько замечаний общего характера. [53]
Процессы намагничивания материалов обеих групп протекают аналогично, но количественное соотношение процессов смещения гра ниц доменов и вращения различно. Процессы смещения границ требуют меньших затрат энергии, чем процессы вращения. В магнитомягких материалах намагничивание происходит в основном за счет смещения границ доменов, а в магнитотвердых - за счет вращения вектора намагниченности. [54]
Первое слагаемое выражения (1.181) описывает намагниченность б / см, обусловленную процессами смещения граничных слоев доменов, второе - намагниченность б / Вр, обусловленную процессами вращения. [55]
После того, как практически весь кристалл намагничен вдоль наилегчайшего направления, процессы смещения в основном заканчиваются. [56]
 |
Сдвиговая деформация кристалла ( а и образование краевой дислокации ( б. [57] |
При наличии дислокаций акт пластической деформации осуществляется как последовательный ( эстафетный) процесс смещения атомов в плоскости скольжения. Такими плоскостями ( и направлениями) в кристалле являются плоскости ( направления), где плотность атомов наибольшая. В зависимости от вида напряженного состояния могут возникать краевые или винтовые дислокации. [58]
Страницы: 1 2 3 4