Cтраница 2
Под переходным процессом включения понимают процесс включения тиристора из закрытого состояния с низкой проводимостью в открытое состояние с высокой проводимостью. [17]
Расчетная схема для определения скорости нарастания напряжения тиристора в инверторном режиме. [18] |
В связи с очень малой длительностью процесса включения тиристора допустимо считать [67], что он проходит под действием постоянных ЭДС, равных ЭДС в момент включения. [19]
В период спада анодного напряжения в процессе включения тиристора переход Д на рассматриваемых участках смещается в обратном направлении. Через некоторое время переход / i снова слегка смещается в прямом направлении. Переход от обратного смещения к прямому обусловлен продольными базовыми токами основных носителей, которые протекают и после окончания периода резкого спада анодного напряжения. На смещение перехода / в прямом направлении определенное влияние оказывает и обратный ток коллекторного перехода, который в невключенной области тиристора остается обратносмещенным. [20]
К числу неодномерных процессов прежде всего относятся процесс включения тиристоров большой площади по управляющему электроду, а также процесс выключения по управляющему электроду. [21]
Схема двухкаскадного тиристорного переключателя.| Тиристорный переключатель однофазного переменного тока. [22] |
В схеме б ток / к в процессе включения тиристора равен сумме токов; к ic IL, причем ( ic IL) H ] уд - Сопротивление 5 схемы в уменьшает постоянную времени нарастания тока тиристора. [23]
Дополнительный ( третий) вывод используют для управления процессом включения тиристора. Триодный тиристор иногда называют тринистором. [24]
Получены выражения для величин, характеризующих упругое состояние пластины кремния в процессе включения тиристора. [25]
Но вместе с тем необходимо учесть, что в направлениях у и z в процессе включения тиристора происходит расширение проводящего канала. Следовательно, площадь источника теплового потока возрастает с течением времени, что приводит к уменьшению плотности тока и мощности, рассеиваемой на тиристоре. [26]
Зависимость (7.11), представленная на рис. 7.2, позволяет оценить потери амплитуды выходного токового импульса, вызванные инерционностью процесса включения тиристора. [27]
Барьерные емкости эмиттерных переходов хотя и имеют большие значения по сравнению с барьерной емкостью коллекторного перехода, но на процесс включения тиристора влияют значительно меньше, так как они шунтируют малые сопротивления эмиттерных переходов, включенных в прямом направлении. Поэтому напряжение включения тиристора в открытое состояние с увеличением скорости изменения анодного напряжения уменьшается. [29]
Если длительность выходных импульсов сравнима с временем включения тиристора [106-111], то вторая задача должна решаться с учетом инерционности процесса включения тиристора. [30]