Cтраница 1
Процесс установления равновесного состояния на поверхности полупроводника также включает взаимодействие поверхностных ловушек со своими зонами н взаимодействие носителей заряда посредством генерации н рекомбинации электронно-дырочных пар. Электрической нейтральности на поверхности соответствует равенство поверхностного заряда суммарному заряду ионизированных поверхностных доноров и акцепторов. [1]
Для супермногослойной структуры с высокоомными я-областями процесс установления равновесного состояния ( уменьшение накопленного объемного заряда) происходит по экспоненциальному закону [21], причем вначале с постоянной времени % Ыят 12п1, а затем с вдвое большей: Т2Л Тр / га. Так как Nd tti, то процесс разрядки емкостей р-п-переходов затягивается на очень большое время. Например, в кремнии с NdW1 см - и тр10 - 5 с напряжение на р-п-переходах после снятия возбуждающего фактора уменьшается в е раз за время порядка одной минуты. В арсениде галлия с такой же концентрацией мелких доноров и с тР10 7 с этот процесс затянется уже примерно на час. [2]
Под переходным процессом выключения диода в простейшем случае понимают процесс установления равновесного состояния, если в определенный момент времени прямой ток, протекавший через диод, уменьшается до нуля. На рис. 2.8, а этот момент времени соответствует нулю на оси абсцисс. [3]
Среди нестационарных методов исследования релаксационных эффектов в твердой фазе, в которых изучаются процессы установления равновесного состояния, одним из наиболее важных является метод электронного спинового эха. [4]
В предыдущих работах было проведено вычисление лишь равновесных концентраций электронов и собственных дефектов при собственно дефектной и самокомпенсированной проводимости. Поскольку процессы установления равновесного состояния связаны с движением ионов, то следует определить, не окажется ли время установления равновесного состояния слишком большим, так что фактически на эксперименте будет наблюдаться неравновесное состояние. Рассмотрим этот вопрос на примере кристалла с донорной примесью, не имеющего при Г-v O никаких других дефектов. [5]
В этих методах каким-либо способом в парамагнитной системе создается неравновесное состояние и затем контролируются временные процессы возвращения в равновесное состояние. При этом внешние воздействия, необходимые для контроля за состоянием системы, не должны влиять на процесс установления равновесного состояния. [6]
К) необходимо наличие определенного количества водорода в некоторых локализованных микро-объектах металла. Во-вторых, к моменту достижения определенного уровня нагрузки в мпкрообъектах перед вершиной трещины может не содержаться необходимое количество водорода, которое, однако, может накопиться там по истечении некоторого времени в процессе установления равновесного состояния в системе металл - водород. Таким образом, рост трещпн в металлах при воздействии водорода контролируется не только свойствами материала, но и особенностями для данной системы процессов переноса и накопления водорода в локальных областях. Этпм обуславливается отличие рассматрлваемого процесса роста трещпн от хрупкого разрушения при статическом нагруженпп в обычных условиях. [7]
К) необходимо наличие определенного количества водорода в некоторых локализованных микрообъектах металла. Во-вторых, к моменту достижения определенного уровня нагрузки в микрообъектах перед вершиной трещины может не содержаться необходимое количество водорода, которое, однако, может накопиться там по истечении некоторого времени в процессе установления равновесного состояния в системе металл - водород. Таким образом, рост трещин в металлах при воздействии водорода контролируется не только свойствами материала, но и особенностями для данной системы процессов переноса и накопления водорода в локальных областях. Этим обуславливается отличие рассматриваемого процесса роста трещин от хрупкого разрушения при статическом нагружении в обычных условиях. [8]
К) необходимо наличие определенного количества водорода в некоторых локализованных микро-объект ах металла. Во-вторых, к моменту достижения определенного уровня нагрузки в микрообъектах перед вершиной трещины может не содержаться необходимое количество водорода, которое, однако, может накопиться там по истечении некоторого времени в процессе установления равновесного состояния в системе металл - водород. Таким образом, рост трещин в металлах при воздействии водорода контролируется не только свойствами материала, но и особенностями для данной системы процессии переноса и накопления водорода в локальных областях. Этим обуславливается отличие рассматриваемого процесса роста трещин от хрупкого разрушения при статическом нагруженпи в обычных условиях. [9]
Во-первых, для осуществления акта локального разрушения при данной интенсивности механического воздействия ( определяемой коэффициентом интенсивности напряжений К) необходимо наличие определенного количества водорода в некоторых локализованных микрообъектах металла. Во-вторых, к моменту достижения определенного уровня нагрузки в микрообъектах перед вершиной трещины может не содержаться необходимое количество водорода, которое, однако, может накопиться там по истечении некоторого времени в процессе установления равновесного состояния в системе металл-водород. Таким образом, рост трещин в металлах при воздействии водорода контролируется не только свойствами материала, но и особенностями для данной системы процессов переноса и накопления водорода в локальных областях. Этим обусловлено отличие рассматриваемого процесса роста трещин от хрупкого разрушения при статическом нагружении в обычных условиях. [10]
Другим современным методом, служащим для построения диаграмм состояния, является метод рентгеноструктурного анализа. Рентгеноструктурный анализ является одним из наиболее совершенных методов изучения всех превращений, сопровождающихся изменением кристаллической решетки. Поэтому он особенно полезен при исследовании полиморфных превращений, образования и распада твердых растворов, а также образования химических соединений. Методами рентгеноструктурного анализа изучают металлы, сплавы, минералы, неорганические и органические соединения. Рентгеноструктурный анализ применяется для качественного и количественного фазового анализа гетерогенных систем, для исследования изменений в твердых растворах, определения типа твердого раствора и границ растворимости. Рентгеноструктурный анализ является дифракционным структурным методом; он основан на взаимодействии рентгеновского излучения с электронами вещества, в результате которого возникает дифракция рентгеновского излучения. Основную информацию в рентгеноструктурном анализе получают из рентгенограмм. Типы рентгенограмм сильно зависят от природы и состава фаз. Между типом рентгенограммы и типом диаграммы состояния существует определенная связь. Особенно полезны рентгенографические данные для построения той части диаграмм, которые описывают равновесные процессы в твердом состоянии, где процессы установления равновесных состояний протекают очень медленно. [11]