Затухание - люминесценция
Cтраница 3
Из-за бимолекулярного тушения экситонов должна иметь место корреляция между энергией кванта ft со и временем затухания люминесценции на частоте со. [31]
Из работ [82, 83] следует, что приложение сильного электрического поля к некоторым фотолюминофорам в процессе затухания люминесценции приводит к вспышке света. Например, приложение поля 20000 В / см при затухании люмп-нофора вызывает вспышку, которая быстро спадает и процесс затухания продолжается по обычному закону. [32]
Функция Ф ( г) пропорциональна интенсивности люминесценции донора и потому может быть названа функцией затухания люминесценции донора. [33]
Из работ рассматриваемого периода следует упомянуть, правда, экспериментально не очень строгие, наблюдения [198] по затуханию люминесценции при возбуждении светом и электронами. Установлено принципиальное сходство обоих процессов. Затухание в обоих случаях представляет собой результат наложения нескольких независимых процессов. [34]
Если электроны вместо непосредственного безызлучательного перехода из ловушек в излучающее состояние предварительно переводятся в зону проводимости, то затухание люминесценции будет происходить преимущественно по другому закону. Предположим, что фосфор облучался достаточно долго, так что все ловушки заполнены. Они могут быть захвачены или одним из п свободных центров люминесценции, или одной из п0 - п незанятых ловушек. [35]
Основная трудность, свойственная этому методу, связана с необходимостью использовать соотношение вида (7.2), устанавливающее связь между изменением времени затухания люминесценции i и коэффициентом диффузии экситона D. VI подчеркивалось, что это соотношение отнюдь не является универсальным. Не говоря уже о том, что в этом соотношении не учтена реабсорбция света флуоресценции ( для достаточно тонких образцов это обосновано), при записи соотношений вида (7.2) всегда приходится делать некоторые априорные допущения о механизме захвата экситона примесью, а также относительно соотношения между эффективным радиусом захвата и длиной свободного пробега экситона I ( для некогерентных экситонов Z порядка постоянной решетки; соотношение (7.2), как указывалось, обосновано, если R Z, иные ситуации обсуждались в гл. [36]
С вероятностью спонтанного перехода связан один из самых важных спектроскопических параметров - время жизни возбужденного состояния, которое характеризует скорость затухания люминесценции после прекращения процесса возбуждения. Время жизни возбужденного состояния играет существенную роль в физике ОКГ; по его величине судят о перспективности данной люминесцирующей: среды для различных типов генераторов. [37]
На одном и том же кристалле статистическим однофотонным методом ( временное разрешение установки равно 0 2 нсек) измерялись кривые нарастания и затухания люминесценции в линиях, соответствующих излучению основного вещества и примеси. Измерения в [342, 352, 372] были проведены при ком-латных температурах, когда экситоны в антрацене являются некогерентными ( см. § 3), а также при низкой температуре ( Г - 4 2 К), когда экситоны когерентны. [38]
При наличии центров быстрой и медленной рекомбинации и центров захвата нескольких типов кинетика затухания фотопроводимости столь же сложна, как и кинетика затухания люминесценции. Однако, используя уже упоминавшийся в гл. I прием - импульсное возбуждение большой интенсивности, - картину удается сильно упростить. [39]
При времени рассеяния - Ю10 с, отвечающем данным рис. 3, б, и при времени жизни экситона - ТО икс, вычисленном по данным измерения времени затухания люминесценции лри 4 2 К, получаем диффузионную длину порядка 1 мм. [40]
Что же касается соотношения (6.147), то оно для промежуточной области значений у является удобной экстраполяцией, точность которой, по-видимому, не ниже, чем точность современных экспериментов по определению времени затухания люминесценции. [41]
В ней наряду с наблюдением аномального уширения и сдвига бесфононной линии экситонной люминесценции кристалла GdS ( A - экситоны, / го 2 552 эв) при Г1 6 К было измерено в той же области спектра также и время затухания люминесценции т в зависимости от частоты света люминесценции. Оказалось, что максимум времени затухания ( т 2 3 10 - 9 сек) лежит в области бутылочного горла и что ширина этого максимума равна примерно ширине линии испускания. [42]
 |
Дисперсия скоростей затухания люминесценции. [43] |
Неоднородный характер уширения линии люминесценции ионов Nd3 в различных стеклах проявляет себя также в наличии временной зависимости скорости распада селективно возбуждаемого уровня 4 / 73 / 2 - Так, у силикатных стекол с малой концентрацией ионов Nd3, исключающей процессы передачи энергии возбуждения, скорость затухания люминесценции после импульсного узкополосного возбуждения существенно зависит как от длины волны возбуждающего света Хвозб, так и от спектральной области регистрации люминесценции Jipcr, и ее изменение имеет немонотонный характер. Данные о дисперсии скоростей затухания люминесценции на переходе 4 з / 2 - 4 / 9 / 2 в силикатном стекле ГЛС-2 при различных Хвоз6 и Яро1 приведены в табл. 1.8. Величина т2эф ( 0 определялась как показатель экспоненты, апроксимирующей кривую затухания в момент времени / от конца возбуждающего импульса длительностью 10 - 2 с. Наблюдаемая дисперсия скоростей затухания люминесценции ионов Nd3 в стеклах указывает на существование в них целого набора центров со значениями излучательных вероятностей, отличающимися в несколько раз. [44]
Оставшаяся часть люминесценции характеризуется постоянной времени затухания порядка 5 - 10 мс. Затухание люминесценции происходит и в процессе возбуждения - усталость фотолюминесценции. [45]
Страницы: 1 2 3 4