Процесс - эмиссия
Cтраница 3
В газовом промежутке между двумя электродами заряженные частицы могут возникнуть во всех трех зонах, но главным образом они появляются в результате процессов эмиссии на катоде и объемной ионизации в столбе дуги. В связи с ограниченностью эмиссии электронов столб дуги ( как и любой проводник) вдали от катода сохраняет по отношению к нему положительный потенциал, поэтому часто его называют положительным столбом. В то же время не следует забывать, что плазма столба обычно квазинейтральна. [31]
Другие более сложные случаи приходится объяснять, за неимением лучшего, наличием на поверхности металла пленки посторонних веществ, существенно меняющих картину процесса эмиссии и приводящих к пятнистому строению поверхности металла. [32]
 |
Схема переноса зарядов в дуге.. / Kf J / a f / CT - напряжение дуги, катодное, анодное, столба дуги.| Вольтамперные характеристики сварочных дуг. [33] |
В газовом промежутке между двумя электродами заряженные частицы могут возникнуть во всех трех зонах, но главным образом они появляются в результате процессов эмиссии на катоде и объемной ионизации в столбе дуги. В связи с ограниченностью эмиссии электронов столб дуги ( как и любой проводник) вдали от катода сохраняет по отношению к нему положительный потенциал, поэтому часто его называют положительным столбом. В то же время не следует забывать, что плазма столба обычно квазинейтральна. [34]
При этом толщина покрытий практически не изменяется, несмотря на увеличение массы исходного материала, так как часть его теряется и не участвует в процессе эмиссии. Кроме того, поскольку процесс выделения активных фрагментов цепи идет во всем объеме расплава полимера, увеличение толщины слоя расплава приводит к значительной нейтрализации их активности в процессе диффузии через расплав к поверхности испарения и, в конечном итоге, к снижению средней молекулярной массы материала покрытия. Поэтому при необходимости эмиссии больших количеств полимера следует предусматривать периодическую подачу его в зону испарения или использовать устройства для дискретного испарения. Прочность покрытий является одним из основных качеств, определяющих их пригодность к использованию. [35]
На люминесцентном экране электроннолучевых трубок, которые не имеют диафрагм, срезающих электронный луч, можно получить увеличенное электронное изображение рабочей поверхности оксидного покрытия в процессе эмиссии с нее электронов. По электронному изображению катода можно осуществлять качественный контроль эмиссионной способности различных участков оксидного покрытия. [36]
Показанные на рис. 3.4.8 результаты свидетельствуют о приближенном выполнении закона (3.4.16), т.е. в случае захвата электронов глубокими состояниями в запрещенной зоне a - Si: H превалирует процесс многофононной эмиссии со слабым взаимодействием. Этот вывод находит свое подтверждение в экспериментальных результатах, приведенных на рис. 3.4.10, где ап ( Е) растет с повышением температуры. Эти результаты впервые подтвердили правило энергетического зазора применительно к процессу многофононной эмиссии за счет слабых взаимодействий, когда оно реализуется в идентичном аморфном материале, имеющем ЛУНРЭ в запрещенной зоне. [37]
Чтобы ответить на этот вопрос, представим себе пучок в пространстве со средним промежутком между фотонами, равным 240 м, но учтем при этом, что в силу случайной природы процесса эмиссии всякий отдельный фотон может находиться в заданный момент времени равновероятно в любой точке такого промежутка. Если затем предположить еще, что продольная протяженность фотона весьма мала, то дальше можно рассуждать следующим образом. [38]
Полученные зависимости ( 2 - 5) носят общий характер, они позволяют определить диапазон энергий и размеров частиц, вылетающих из устья трещины, и распределение этих частиц по энергиям в процессах эмиссии электронов и квантов излучения. [39]
Электрическая проводимость коллоидной плазмы определяется, как в обычной плазме, потерями импульса при контактных столкновениях, далеких взаимодействиях электронов с заряженными частицами и столкновениях электронов с нейтральными фазовыми составляющими и может рассматриваться как суммарная кинетическая характеристика процессов эмиссии и абсорбции электронов при наличии реагирования и изменения сечения столкновения по мере увеличения концентрации и агрегации конденсированной фазы. [40]
Ниже излагаются, в основном, результаты измерений фотоэмие-сионного тока в простейших системах ( ртутный электрод в достаточно концентрированных растворах фторидов, хлоридов или сульфатов щелочных металлов с добавкой закиси азота или ионов водорода в качестве акцепторов), которые позволили количественно проверить изложенную выше теорию фотоэлектронной эмиссии и измерить параметры, характеризующие процесс эмиссии в водные и неводные растворы. [41]
Данный принцип в определенной степени все еще действует, но в последние годы был подточен со многих сторон. Процесс эмиссии для размещения по льготной цене занимает много времени и довольно громоздкий, утверждают некоторые компании и их консультанты из эмиссионных банков Компании должны получить возможность свободно пользоваться преимуществами временных окон на финансовых рынках, выпуская акции там и тогда, где и когда они открываются. Компании в Америке имеют значительно больше свободы в этом отношении, и принцип преимущественных прав там мало что значит. Американские компании могут эмитировать акции едиными пакетами для брокерских домов, которые в дальнейшем продадут их через свою рыночную сеть. Утверждается, что такое размещение акций для компании быстрее и дешевле. А те, кто делают подобные заявления, часто представляют банки и брокерские дома, которые больше всего заработали бы от такого метода распространения акций. [42]
Простое устройство и малое время свободного пробега электронов между катодом и анодом приводят к тому, что фотоэлементы обладают очень большим быстродействием. Процесс эмиссии каждого электрона очень сложным образом зависит от типа катода [7.14]: электроны освобождаются при поглощении фотонов на катоде, затем происходит перенос электронов вдоль поверхности, после чего электроны покидают поверхность, преодолев поверхностный потенциал. Тем не менее вся эта последовательность процессов занимает очень мало времени. Поэтому полоса частот, в которой могут работать фотоэлементы, в значительной мере определяется геометрическим расположением электродов и работой электрической измерительной схемы. [43]
Например, электрические колебания, обусловленные электроакустическим эффектом, лежат в диапазоне от десятков кГц до единиц МГц, т.е. совпадают со спектром акустической эмиссии. Процессы экзоэлектрон-ной эмиссии и эмиссии электронов высоких энергий характеризуются еще более высокочастотным спектром. [44]
Инжекция неосновных носителей в р - п-переходе, включенном в прямом направлении, может привести к высокой эффективности преобразования электронов и дырок в фотоны в полупроводнике даже в отсутствие лазерного эффекта. Процесс спонтанной эмиссии может происходить в полупроводниках как с прямыми, так и с непрямыми переходами посредством одного из механизмов излучательной рекомбинации, описанных в гл. Хотя внутренняя квантовая эффективность может быть близка к единице, внешняя эффективность в общем значительно меньше, поскольку из-за высокого показателя преломления ббльшая часть света испытывает на поверхности полное внутреннее отражение, после чего он поглощается. [45]
Страницы: 1 2 3 4