Затухание - поле
Cтраница 4
ВЧ поля вдоль длины прибора при взаимодействии с прямой волной в линии передачи совпадает по форме с распределением поля в обычном приборе типа М с отрицательным холодным катодом при взаимодействии с обратной волной в линии передачи и наоборот. Как показано в [47], в адиабатическом приближении при синхронном взаимодействии электронов с прямой волной ( схема является сопряженной схеме обычного усилителя обратной волны типа М) имеет место затухание ВЧ поля волны вдоль длины прибора, при этом сгруппированный ток в конце пространства взаимодействия максимален. Поэтому данная схема может быть использована в качестве группирователя электронов. [46]
 |
Распределение магнитного поля вдоль радиуса. [47] |
Как отмечено выше, поля быстро затухают при удалении от спирали. Если в выражениях для полей модифицированные функции Бесселя заменить асимптотическими формулами, справедливыми при больших значениях аргумента, то нетрудно заметить, что при данном радиусе с ростом уа увеличивается скорость затухания поля по мере удаления от спирали. [48]
Условие 7 5 Т а Для стационарной величины означает, что рьь Раа, то есть число атомов в основном состоянии должно быть больше, чем в возбужденном. Атомы, в среднем, забирают возбуждение у поля до тех пор, пока не наступит равновесие между возбуждениями в атомной системе и в поле: такой тип резервуара приводит к затуханию поля. Более того, поле, в конечном счете, приходит к состоянию теплового равновесия с температурой, которая определяется разностью населен-ностей двух атомных уровней. [49]
При распространении акустического поля в реальной среде часть энергии поля переходит в теплоту. При этом интенсивность и амплитуда затухают. Такое затухание поля называется поглощением. [50]
Эффективность работы экрана в сильной степени зависит от типа поля, однако существуют общие понятия поглощения и отражения. Действительно, когда энергия поля падает на экран, часть ее отражается от внешней поверхности, часть поглощается материалом экрана, а остальная часть проходит сквозь экран. Кроме того, затухание поля в экране зависит от частоты поля и материала экрана. На рис. 7 - 1 представлены характеристики затухания магнитного А и электрического А % полей. [51]
Если бы v 0, то U - 0 и иигкние Еп были бы порядка D / LP, L - размер области; наличие столь большого потенциала (2.19) ( - vz / 4D) существенно поднимет все нижние уровни. Это и есть антидинамо: Еп - декремент убывания поля. Таким образом, наличие U ускоряет затухание поля. [52]
Когерентное состояние является собственным состоянием опе-рарора уничтожения. Этот результат будет важен в связи с уравнением Фоккера-Планка и проблемой затухания поля излучения. [53]
В этом случае система в действительности будет неустойчивой, хотя нарушение произойдет не в первом цикле качаний, если не будут применены автоматические регуляторы напряжения для предотвращения затухания переходного тока возбуждения. Если, с другой стороны, вычисленный предел динамической устойчивости оказался бы ниже предела статической устойчивости, это означало бы, что система устойчива. Это заключение основывается на предположении, что амплитуда качаний в результате демпфирования уменьшается настолько быстро, что затухание поля не может уже привести к нарушению устойчивости. Применение регуляторов напряжения создает уверенность в сохранении устойчивости. При быстром отключении повреждений ( например, через 6 периодов после возникновения или быстрее) рекомендуется проверить как предел статической устойчивости, так и предел динамической устойчивости, чтобы, исходя только из второго, не прийти ошибочному выводу. То же самое относится к Случаю вывода из работы неповрежденной линии. [54]
Распределение продольной составляющей fJz магнитного поля ЦДР пр и изменении координаты г в объеме диэлектрика определяется функцией cos 3U2, а Я-составляющей-функцией sin Izz. Вне круговой поверхности составляющие электромагнитного поля убывают. Их затухание определяется экспоненциальным множителем е - о; ( г-г в котором продольное волновое число p2z характеризует быстроту затухания поля. [55]
В реальных экспериментах такие состояния возникают, например, при нормальном падении электромагнитной волны большой амплитуды на пластинку из металла или полупроводника, если толщина пластинки значительно меньше длины волны электромагнитного излучения и характерной длины затухания поля в веществе. [56]
Обсудим сначала случай, когда электрическое поле, будучи созданным некоторым образом, продолжает существовать в отсутствие электродвижущих сил. В любом случае это электрическое поле, и, следовательно, электрические токи и связанное с ним магнитное поле должны затухать. Энергия, запасенная в этих полях, превращается в тепло. Время затухания поля Земли было оценено и оказалось порядка Ю6 лет ( ср. Поэтому наличие геомагнитного поля, которое остается постоянным в течение гораздо более длительного времени, нельзя понять без предположения о соответствующих электродвижущих силах. В случае Солнца или звезд сравнимых размеров времена затухания могут достигать или превышать по порядку величины 1010 лет я, следовательно, превышать предполагаемые возрасты этих объектов ( ср. Тем не менее предположение об изначальном поле не может лежать в основе объяснения солнечного магнитного поля, так как оно периодически меняется со временем. Те звездные магнитные поля, которые незначительно меняются во времени, могут рассматриваться как остатки от ранних стадий звездной эволюции и могут теперь существовать без помощи какой-либо электродвижущей силы. Конечно, первичные процессы, которые привели к генерации этих полей, все еще являются пред-методом для обсуждения. [57]
Страницы: 1 2 3 4