Процесс - выключение
Cтраница 2
 |
Семейство вольт-амперных характеристик трехэлектродного симметричного тиристора. [16] |
Под процессом выключения понимают переход прибора из проводящего состояния в запертое. [17]
В процессе выключения при биполярном режиме обратносмещенный управляющий переход осуществляет вынос инжектированных дырок, находящихся в области канала. На этапе формирования потенциального барьера в канале дырки попадают в ускоряющее поле, втягивающее их в затвор Электроны, наоборот, оттесняются данным полем к оси канала и к стоковой области. В результате происходит интенсивное рассасывание накопленного заряда, сопровождающееся протеканием относительно большого по амплитуде отрицательного импульса тока затвора. Выключение СИТ в данном режиме качественно аналогично переключению диода из прямого состояния в обратное. [18]
 |
Зависимость % от тока эмиттера при различных значениях интегральных потоков. [19] |
В процессе выключения входная характеристика тиристора претерпевает разрыв, напряжение на электроде управления резко возрастает, а ток снижается. [20]
В процессе выключения диода его обратная запирающая способность восстанавливается не мгновенно, и после спадания прямого тока / в до нуля диод некоторое время. [21]
В процессе выключения муфты имеют место потери, которые могут быть определены так же, как и для процесса включения. Эти потери невелики, они не имеют практического значения и обычно не учитываются. Основное требование - в выключенной муфте не должно быть трения между частями при их относительном вращении. Особые трудности возникают в связи с этим в многодисковых муфтах. [22]
В процессе выключения структуры с катодным эмиттером, имеющем большие геометрические размеры, возникает ситуация, когда часть эмиттера смещена в прямом направлении, а часть - в обратном. Поскольку сопротивление эмиттерного перехода в той его части, которая смещена в обратном направлении, велико, то ток управления протекает, в основном, через прямосме-щенный участок перехода. Напряжение, которое прикладывается к переходу в обратном направлении, изменяется с координатой и становится максимальным у края эмиттера, граничащего с электродом управления. Оно равно падению напряжения на сопротивлении базы RU от протекания тока управления / у. С ростом / у напряжение возрастает и при определенном значении / у наступает пробой эмиттерного перехода у его края. [23]
Это замедляет процесс выключения транзистора, что подробнее будет рассмотрено ниже. [24]
До начала процесса выключения обе базы тиристора находятся в режиме насыщения и центральный переход смещен в прямом направлении. [25]
Уменьшение длительности процесса выключения может достигаться двумя различными путями. Первый путь заключается в изменении электрического режима при выключении, а второй - в изменении электрофизических и конструктивных параметров тиристора. [26]
Физическая сущность процесса выключения ДОТ заключается в уменьшении-суммы ocj 2 до значения, меньшего единицы, путем подачи на управляющий электрод отрицательного импульса тока. [27]
Рассмотрим диаграмму процесса выключения муфты ( фиг. За время выключения крутящий момент, передаваемый муфтой, будет в течение 7 сек оставаться постоянным до тех пор, пока Мс не станет меньше М2 - После этого он начинает уменьшаться и станет равным нулю в конце периода выключения. [28]
Для ускорения процесса выключения быстродействующего выключателя при коротком замыкании параллельно размагничивающей катушке включается индуктивный шунт. Работа шунта заключается в следующем. В случае короткого замыкания нарастающий ток создает в индуктивном шунте и в - размагничивающих витках электродвижущие силы самоиндукции, которые препятствуют прохождению тока. [29]
Из физических особенностей процесса выключения КВТ вытекают специфические требования к конструкции р - га - р - га-структур. [30]
Страницы: 1 2 3 4