Процесс - генерация
Cтраница 4
Если процесс генерации неравновесных носителей заряда происходит не во всем объеме, а только в какой-то части полупроводника, то там образуется локальная область с повышенной концентрацией носителей заряда, что вызывает появление диффузионного тока. [46]
Кроме процесса генерации при засветке может быть и рекомбинация носителей, причем с ростом концентрации неравновесных электронов и дырок интенсивность рекомбинации увеличивается. Поэтому через некоторое время после начала освещения в полупроводнике устанавливается постоянная ( стационарная) проводимость. [47]
Эффективность процесса генерации резко возрастает, если ее выполняет специалист-разработчик, который параллельно обучает этому процессу одного или двух сотрудников пользователя. [48]
Скорость процесса генерации - рекомбинации существенно зависит от присутствия в кристалле полупроводника ловушек. [49]
Температура процесса генерации фуллеренов по нашей методике значительно ниже, чем 1000 С. Это снижает себестоимость процесса и позволяет проектировать установки для получения фуллеренов в промышленном варианте и получать их в макроколичествах. [50]
В процессе генерации часть излучаемой световой энергии должна все время оставаться внутри рабочего вещества, вызывая вынужденное излучение все новыми порциями атомов, т.е. осуществляя обратную связь. Это обычно выполняется при помощи зеркал по схеме, изображенной на рис. 4.25. Зеркало / при этом отражает всю падающую на него энергию. Зеркало 2 полупрозрачно и часть энергии оно пропускает из рабочего пространства наружу ( полезная энергия), а отраженная энергия служит для вовлечения в генерацию новых порций рабочего вещества. [51]
В процессе генерации домены возникают либо при падении луча лазера на участок пленки, свободный от доменов, либо путем разрезания лучом уже существующих полосовых или цилиндрических доменов. Аннигиляция цилиндрических доменов производится просто нагревом их лазерным лучом. Направленное движение доменов осуществляется путем их притяжения или отталкивания ( в зависимости от мощности лазера) от областей пленки вблизи домена, нагретых лучом лазера. Для выполнения всех этих операций было достаточно мощности лазера ( Х5145 А) около 10 мвт при фокусировке луча до диаметра в несколько микрон ( порядка диаметра доменов) и около 0.5 мвт при фокусировке до 1 мкм. [52]
В процессе генерации создаются следующие спецификации: IDL-ин-терфейсы ( типы, factories), Java-классы ( реализации типов, адаптеров, фабрик), make - файлы, а также происходит регистрация объектов в Naming Service и связывание с ними. [53]
 |
Метод обратной функции. [54] |
В процессе генерации каждое равномерно распределенное число s анализируется и определяется интервал 6, в который оно попадает. Тем самым определяется текущее значение К в последовательности. Далее генерируются равномерно распределенные случайные числа и определяется их попадание в соответствующий участок. [55]
Страницы: 1 2 3 4