Затухание - электромагнитная волна
Cтраница 1
Затухание электромагнитной волны в примесном полупроводнике сопровождается возбуждением электронов, связанных с атомами примеси при поглощении кванта соответствующей энергии. [1]
Обычно затухание электромагнитной волны связано с тем, что электроны, раскачиваемые этой волной, теряют свою энергию па столкновения с другими частицами. В турбулентной плазме электроны чаще сталкиваются с плазменными волнами. Однако здесь они могут не только отдавать энергию, но и приобретать ее. Например, оказывается, что если волновые векторы электромагнитных и ионнозву-ковых волн направлены в одну сторону и если плотность энергии ионнозвуковых волн больше некоторого минимального значения ( см. ниже), то при раскачке электронов обеими волнами энергия передается от ионпо-звуковой волны к электромагнитной. При противоположных направлениях волновых векторов энергия перекачивается от электромагнитных волн к ионнозвуковым. Существенно, что направление перекачки энергии зависит от анизотропии плазменной турбулентности. В случае строго изотропной турбулентности эффект усиления пропадает. [2]
Явление затухания электромагнитной волны в поверхностном слое металла используется для экранировки в переменном электромагнитном поле. [3]
Физической причиной затухания электромагнитных волн в проводящей среде является преобразование электромагнитной энергии волн в джоулеву теплоту: электрическая напряженность волны возбуждает в проводящей среде точки проводимости, которое по закону Джоуля-Ленца нагревают вещество среды. [4]
Громоздкость строгого метода расчета затухания электромагнитных волн в волноводах, связанного с определением истинных значений векторов поля, в большинстве случаев делает практически невозможным применение его для инженерных расчетов коэффициента затухания в волноводах, используемых на практике. Вместе с тем может быть указан другой, приближенный метод расчета коэффициента затухания в реальных волноводах. Этот метод был развит в работах советских ученых С. М. Рытова и Я. Л. Альперта, а затем обобщен в виде приближенных граничных условий акад. Точность расчета по этому методу вполне удовлетворяет потребности практики. Учитывая вдобавок универсальность применения приближенного метода, следует рекомендовать его для всех случаев инженерной практики. [5]
Толщина листов определяется измерением затухания электромагнитных волн при прохождении через лист. Для этого контролируемый лист устанавливают ( или. [6]
Стандартным методом рассчитывается и декремент затухания электромагнитных волн при их обратной конверсии в плазменные волны, связанной с нелинейным рассеянием на релятивистских ионах. [7]
 |
Влияние частоты излучения на затухание электромагнитных волн в вулканизатах на основе различных типов каучуков ( режим работы - контактная прокладка. [8] |
С увеличением этого содержания в композициях затухание электромагнитных волн: ущественно растет. Ом м, независимо эт типа применяемого эласто-мерного связующего. [9]
Потери энергии в МПЛ характеризуются коэффициентом затухания электромагнитной волны. [10]
Поглощение энергии эквивалентами антенн происходит в результате затухания электромагнитной волны вдоль поверхности нагрузки, а также в объеме самой нагрузки. [12]
Принцип работы этих устройств основан на использовании эффекта затухания электромагнитной волны. [13]
Экспериментальное выяснение этой зависимости может служить источником информации о закономерностях затухания электромагнитной волны ( особенно ее нормальной составляющей) в металлах. [14]
Явление неравномерного распределения поля по сечению проводящего тела, вызванное затуханием электромагнитной волны, называют поверхностным эффектом. Если вдоль листа направлен магнитный поток, то поверхностный эффект часто называют магнитным, если вдоль плоской шины направлен переменный ток, то имеющий место при этом поверхностный эффект часто называют электрическим поверхностным эффектом. [15]
Страницы: 1 2 3