Переходный процесс - переключение
Cтраница 1
Переходные процессы переключения СИТ основаны на сложной природе физических явлений, протекающих в структуре прибора. Данные процессы описываются нелинейными дифференциальными уравнениями второго порядка, которые с трудом удается приводить к более простым аналитическим формам, содержащим, к тому же, большое количество электрофизических параметров. Это не совсем удобно для разработчиков схем, оперирующих, главным образом, стандартными справочными данными и характеристиками. Поэтому при описании работы ключа ( 6.17) главное внимание будет обращено на сущность физических этапов переключения и их влияние на стандартные временные параметры. [1]
Переходные процессы переключения МДП-транзисторов в двухтактных схемах с индуктивной нагрузкой качественно аналогичны рассмотренному варианту для отдельного ключа в режиме непрерывных и разрывных токов, при этом роль обратного диода выполняет диод противофазного транзистора. [2]
Переходный процесс переключения IGBT ( 6.16) качественно ао многом идентичен переключению мощного МДП-транзистора, за исключением стадии спада силового тока. Этап включения состоит из стадии задержки fD ( on), нарастания тока коллектора и установления напряжения во входной цепи ключа. [3]
Рассмотрим переходный процесс переключения в транзисторе. [4]
Рассмотрим переходный процесс переключения диода из прямого направления в обратное. С момента времени t начинается этап рассасывания накопленного заряда дырок в базе. [5]
Для переходных процессов переключения триггера из состояния 1 в состояние 2 и обратно характерны те же этапы, что и для переходных процессов включения и запирания тиристора соответственно. [6]
В течение переходного процесса переключения положительная обратная связь от коллектора через сердечник к эмиттеру обеспечивает регенеративный переход Т2 в состояние включено. Напряжение, наводимое с помощью сердечника, быстро падает до нуля вследствие прямоугольности его характеристики, и транзистор выключается. После этого ток смещения возвращает сердечник в его первоначальное состояние. Полный интервал включения составляет примерно 0 1 мксек и определяется главным образом характеристикой сердечника. [7]
Осциллографическое измерение [6, 7] параметров переходного процесса переключения импульсного диода позволяет получить наиболее полную информацию об инерционности исследуемого прибора. [8]
 |
Схема измерения времени восстановления, использующая туннельный диод ( а и вольтампер-ная характеристика туннельного диода ( б. [9] |
Иногда для измерения Qn используют осциллограмму переходного процесса переключения диода. [10]
В условиях эксплуатации ХТС, когда влияние переходного процесса переключений существенно, часто применяют облегченный резерв. При этом влияние переходного процесса снижается и ХТС может непрерывно работать в режиме, близком к рабочему или нормальному. [11]
Рассмотрим статические и динамические ( во время переходного процесса переключения транзистора) положения рабочей точки в ключевом режиме. [12]
При использовании схем синхронизации по рис. 9 - 3 переходный процесс переключения транзисторов соответствует случаю поочередной коммутации транзисторов ( рис. 9 - 8, в), так как сигнал управления на открытие транзистора подается только после окончания процесса рассасывания избыточных носителей в базе закрывающегося транзистора при индуктивно-активной нагрузке и после полного закрытия другого транзистора при активной нагрузке. [13]
Тип фильтра на выходе конвертора во многом определяет характер переходного процесса переключения транзисторов. [14]
Переход из одного логического состояния в другое ОИС совершает за время переходного процесса переключения. Транзисторы при этом работают в - активном режиме, и в них выделяется большая мощность. Низкоомный резистор RL снижает значение выходного тока во время переходного процесса, когда оба транзистора ( 7 2 и Т3) открыты. Для ограничения выделяющейся во время переходного процесса мощности необходимо также не допускать слишком медленного нарастания входного тока. Например, для ОИС К262ЕП1 максимальная длительность нарастания или спада тока излучателя не должна превышать Г мкс. [15]
Страницы: 1 2 3