Переходный процесс - включение
Cтраница 2
На первом этапе переходного процесса включения происходит уменьшение входного отрицательного смещения от начального значения Ер до напряжения отсечки. На данном этапе, называемом задержкой включения fD ( on), ток стока практически равен нулю. [16]
На практике исследования переходного процесса включения проводят, как правило, при активной нагрузке в цепи тиристора. Именно этот случай, изображенный на рис. 8.1, будет рассматриваться ниже. [17]
В отличие от переходных процессов включения, переходные процессы выключения значительно сложнее. Поэтому основное внимание в этом разделе уделяется расчету времени рассасывания и времени спада. [18]
 |
Переходные характеристики включения тиристора на активную нагрузку. [19] |
Длительность этапа установления переходного процесса включения в основном определяется распространением области включенного состояния по всей площади структуры тиристора. Распространение обеспечивается диффузией носителей из области с большой концентрацией ( области начального включения) в прилегающие к ней области структуры. [20]
Прежде всего рассмотрим особенности переходного процесса включения симисторов, при этом предполагаем, что включение элементарных структур симистора происходит независимо. [21]
Таким образом, при переходных процессах включения цепи с последовательно соединенными r - L и г - С элементами на синусоидальное напряжение, ток складывается из синусоидальной и экспоненциальной составляющих. [22]
Все три изложенных метода расчета переходных процессов включения с учетом всех приведенных уточнений дают одинаковые результаты при инженерных расчетах и могут быть использованы вполне равноправно. [23]
Полученные выводы позволяют использовать для анализа переходного процесса включения фототранзистора результаты анализа транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Если учесть, что постоянные нарастания фототоков через р-п переход, как следует из выражения (12.6), определяются временем пролета, которое значительно меньше времени жизни неосновных носителей в соответствующем слое, то можно считать, что разделение носителей р-п переходами по сравнению с рекомбинационными процессами в р-базе происходит практически мгновенно. [24]
Важно, чтобы диод Д1 закрылся во время переходного процесса включения, когда VР имеет максимальное отрицательное значение, поскольку все 0 92 ма текут в это время через базу. Падения напряжения на всех диодах должны быть взяты при токе 1 72 ма, так как через эти диоды проходит ток базы плюс ток через R. [25]
Подача на стабистор обратного напряжения допускается только при переходных процессах включения и выключения аппаратуры. [26]
Рассмотрено влияние процесса расширения проводящего канала в р-п-р-п структуре на переходный процесс включения прибора, проявляющееся в замедлении изменения напряжения на структуре на этапе лавинообразного нарастания тока и роста остаточного напряжения на структуре в начале этапа установления напряжения на насыщенном приборе. Проведено сравнение результатов расчета с известными результатами одномерного анализа динамики включения четырехслойного переключателя. Приведены результаты экспериментального исследования некоторых из расчетных зависимостей. [27]
Работа в таком режиме с точки зрения возникновения отказа на переходном процессе включения не опасна. [29]
На 3.51 представлены типовые варианты кривых тока и напряжения в переходном процессе включения полупроводникового ключа соответственно для резистивной и индуктивной нагрузки в режимах импульсного и непрерывного тока. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5