Cтраница 3
Она протекает очень быстро, и образование ацетилена ( как более медленный процесс) начинается лишь в зоне, практически лишенной кислорода. Там же происходит конверсия оксида углерода СО Н2О СО2 Н2, причем соотношение водорода, оксидов углерода и водяных паров оказывается близким к этому равновесию водяного газа. В практических условиях около 1 / 3 кислорода расходуется на образование воды, 10 - 15 % на СО2 и 50 - 55 % на СО. [31]
Если не рассматривать кинетику упругой деформации, а учитывать только более медленные процессы ( продолжающиеся минуты, часы и более длительно), то главную роль в этом случае будут играть диссипативные процессы, сопровождающиеся рассеянием упругой энергии и переходом ее в тепловую энергию. Полагая, что в каждом реальном материале различные структурные элементы или зоны тела работают как в упругом, так и неупругом ( пластическом или вязком) состояниях, можно, в самой общей постановке задачи, записать, что Рс Ру Рд, где Ру - упругое сопротивление, Рд - диссипативное ( неупругое) сопротивление, которое отражает как вязкое сопротивление, так и сопротивление пластической деформации. [32]
В растворах диметилглиоксимата никеля вслед за процессом кксигенации происходит значительно более медленный процесс необратимого окисления. В концентрированных по щелочи растворах ( 6 N) количество обратимо связанного кислорода за первые двое суток уменьшается примерно наполовину. Дальнейшее окисление протекает в течение нескольких суток и сопровождается выпадением осадка. В более разбавленных по щелочи растворах стадия необратимого окисления проходит медленнее. Этот процесс сильно затрудняет изучение основного процесса - окси-тенации и существенно снижает воспроизводимость результатов. [34]
Из этого выражения следует, что аппарат, в котором протекает более медленный процесс, должен иметь большие размеры. [35]
Рост из пара благодаря низкому давлению паров твердой фазы - обычно более медленный процесс, чем рост из раствора или расплава. [36]
Зависимость изменения сопротивления пленок кермета при термическом отжиге в вакууме. [37] |
Возрастание сопротивления, связанное, по-видимому, с окислением, является более медленным процессом, скорость которого растет с температурой. Процесс уменьшения сопротивления наблюдается, начиная с температуры 350 С, что, вероятно, связано с началом роста кристаллитов силицида хрома. Процесс окисления становится преобладающим через 10 - 20 мин термообработки и сильнее влияет на сопротивление в случае состава с большим содержанием диэлектрической фазы. [38]
При адсорбции на пористых сорбентах диффузия молекул в порах сорбента является более медленным процессом по сравнению с адсорбцией на открытой поверхности. Способы вычисления скорости внутренней диффузии будут рассмотрены в гл. [39]
Как уже отмечалось, время выключения ВЬ1К тв - определяется в основном более медленным процессом рекомбинации избыточных зарядов в п-базе. [40]
Корреляция Ig реакции Меншуткина с параметром Ет.| Корреляция параметра EJ с lg ft ионизации п-толуолсу ль фонового эфира. [41] |
Выпадение из корреляции точек, отвечающих спиртам ( см. рис. VIII-7), указывает на более медленный процесс, чем это следовало ожидать на основании значений Ет; это обусловлено стабилизацией исходного соединения - триэтиламина, с которым спирты образуют водородную связь. [42]
В полярографии иногда наблюдают как увеличенные диффузионные токи, так и предельные токи, вызванные более медленным процессом, чем диффузионный, которые тем не менее дают совершенно правильные волны ( см. стр. [43]
Обесцвечивание происходит обычно в две стадии, причем за первоначальным быстрым ослаблением f - полосы следует более медленный процесс. Количественные измерения с окрашенным КС1 [ 611 показали, что оба этих процесса являются реакциями первого порядка и характеризуются энергиями активации 0 16 и 0 31 эв соответственно. Исходя из этого, Шнайдер [61] заключил, что существует небольшая вероятность ( 1 на 1013) освобождения захваченного электрона из F-центра при получении небольшой тепловой энергии. Это согласуется с тем, что вероятность освобождения электрона путем туннельного эффекта больше, когда он находится в колебательном возбужденном состоянии. [44]
В последние годы были сделаны попытки разработать методы изучения существенно быстрых электродных процессов, а также более медленных процессов при потенциалах, когда константы скорости крайне велики. Не все эти попытки были достаточно успешными, но с появлением методов, основанных на фарадеев-ском выпрямлении низкого [1] и высокого [2] уровней, стало очевидным, что теперь может быть ликвидирован ряд недостатков потенциостатического [3] и гальваностатического [4] методов. Вероятно, в недалеком будущем станет возможным использование частот вплоть до 500 Мгц с продолжительностью импульсов 10 - 8 сек или меньшей. Это должно облегчить изучение быстрых химических реакций, сопутствующих процессу переноса заряда, а также исследование быстрых процессов переноса заряда. Экспериментальные исследования с использованием метода фарадеевского выпрямления низкого уровня при частотах выше 100 Мгц уже позволили обнаружить аномалии при восстановлении In ( III) и Zn ( II) в хлорной среде, которые могли быть вызваны последующими химическими реакциями в случае индия и последующими реакциями переноса заряда в случае цинка. Для интерпретации подобных результатов и вообще для изучения быстрых процессов необходимо иметь детальное представление о фарадеевском импедансе. [45]