Элементарный процесс - образование
Cтраница 1
Элементарные процессы образования и роста зародышей рекристаллизации имеют диффузионный характер, совершаемые беспорядочными диффузионными перемещениями отдельных атомов и вакансий. [1]
Участие электронов и ионов в элементарных процессах образования радикалов сближает фотохимию и радиационную химию. Как известно, в радиационной химии для объяснения экспериментальных результатов широко привлекаются различные ионномолеку-лярные реакции. [2]
Заметим, что это уравнение отвечает скорости элементарного процесса образования квазимолекулы А В, который при указанном условии является лимитирующим процессом. [3]
Ионные реакции в газах включают обычно три стадии: элементарные процессы образования ионов; реакции их с нейтральными атомно-молекулярными частицами; рекомбинацию ионов. Вторая определяется протеканием ионно-атомных или ионно-молекуляр-ных реакций. Третья характеризует ион-ионные реакции с образованием нейтральных частиц. [4]
Это обстоятельство выявляется следующим образом: согласно общей теории элементарного процесса образования многоступенчатого слоя металла на грани [1], концентрация ионов металла возле каждого участка грани изменяется периодически от максимального значения ск ( Манс. [5]
Несмотря на недостаточную общность понятия о плотности тока, не позволяющую применить его к характеристике отдельных стадий элементарного процесса образования слоя на грани, практическое значение его в случае плотных осадков является очевидным. В этом случае плотность тока характеризует интенсивность суммы процессов, развивающихся на электроде. [6]
В зависимости от формы и параметров импульса ( главным образом длительности, амплитуды и энергии) изменяется энергоемкость элементарного процесса образования частиц. Так, при нагреве металла в лунке до температуры плавления и одновременном непрерывном удалении расплава энергоемкость минимальна. [7]
Таким образом, в общем случае кинетические константы радиационно-химических реакций, определяемые экспериментально, представляют собой те или другие комбинации констант скоростей элементарных процессов образования, дезактивации и реакций активных частиц. [8]
Таммана и Яндера о скорости образования слоя продуктов реакции Ягич и Маттсон51 изучили истинные константы реакции порошковых смесей с учетом распределения зерен по размерам, например в элементарном процессе образования цинковой шпинели из окислов, к которому нельзя применить уравнение Таммана, так как результаты будут неверными. Ягич и Маттсон подчеркивали, что при использовании фракций, состоящих из зерен неодинаковых размеров, скорость реакции особенно возраетает в тонкозернистых образцах. [9]
 |
Краевые дислокации в изогнутом кристалле до ( и и, i после ( б полигонизации. [10] |
Для образования полигональной структуры дислокациям приходится переходить с одной плоскости на другую. Таким образом, термическ активируемый процесс переползания определяет скорость полигонизации. Она должна зависеть от скорости элементарных процессов образования и притока вакансий к дислокациям. Легче всего эти процессы происходят на ступеньках дислокаций, поэтому чем больше ступенек, тем выше скорость полигонизации. [11]
При этом молекулы веществ, подвергаемых воздействию катализатора, превращаются в положительные или отрицательные ионы в зависимости от их сродства к электронам. Описываемый механизм воздействия катализатора применим лишь к гетерогенно-каталитическим реакциям с газообразными веществами. Для объяснения гетерогенно-каталитических реакций в растворах применяется иной механизм, при котором предполагается переход в раствор небольшого количества ионов металла, применяемого в качестве катализатора. Изложенное показывает, что элементарные процессы образования газового электрода и элементарные процессы каталитического воздействия вещества оказываются тождественными. По теории Л. В. Писаржевского катализаторами, очевидно, могут быть только металлы и вещества, обладающие электрической проводимостью. На основании общих положении этой теории выводятся правила подбора катализаторов; среди катализаторов особое место занимают переходные элементы. С точки зрения электронной теории Л. В. Писаржевского процесс адсорбции вещества на катализаторе имеет второстепенное значение. [12]
Страницы: 1