Реальный процесс - кристаллизация
Cтраница 1
Реальные процессы кристаллизации в цементном клинкере несколько отклоняются от подобной равновесной схемы. В частности, нередко остаточный расплав не успевает полностью закристаллизоваться и застывает в виде стекловидной основной массы, обнаруживаемой в клинкерах. [1]
Реальные процессы кристаллизации в цементном клинкере несколько отклоняются от подобной равновесной схемы. В частности, остаточный расплав нередко не успевает полностью закристаллизоваться и застывает в виде стекловидной основной массы, обнаруживаемой в клинкерах. [2]
На реальный процесс кристаллизации металла и размеры получаемых кристаллов в большой степени влияет наличие в жидком металле мельчайших посторонних частиц ( неметаллических включений: оксидов, нитридов и др. в стали), состояние стенок изложницы или литейной формы, температура жидкого металла в момент разливки, вибрационные и ультразвуковые колебания и другие факторы. [3]
 |
Участок квазибинар. [4] |
Рассмотрим соответствие реальных процессов кристаллизации сплавов ЮНДК и ЮНДКТ теоретическим и экспериментальным положениям, разработанным в основном для бинарных систем. [5]
Наконец, в реальных процессах кристаллизации ПАВ могут пассивировать активные инородные твердые примеси в растворе, которые в их отсутствие могли бы служить центрами кристаллизации. [6]
Корректность распространения полученных зависимостей на реальные процессы кристаллизации с развитым фронтом и ярко выраженной поликристалличностью его пока не обоснована. В единственной работе [4] была сделана, попытка исследовать взаимозависимость Ул и Ats при росте слоя кристаллов на плоской поверхности. [7]
Кривые охлаждения, полученные при реальном процессе кристаллизации с переохлаждением, отличаются от кривых теоретического процесса ( см. фиг. Явление переохлаждения имеет большое практическое значение. [8]
Такое разделение является условным, так как в реальном процессе кристаллизации трудно выделить влияние какого-либо фактора. Многие из перечисленных факторов взаимосвязаны. Так, изменение теплоотвода сопровождается изменением скорости кристаллизации. [9]
Таким образом, в зависимости от скорости испарения рассолов реальные процессы кристаллизации в соляных водоемах могут протекать либо по метастабильным путям солнечной диаграммы, либо будут смещаться к стабильной линии совместной кристаллизации каинита и сульфата магния, завершая свой путь в метастабильной эвтонике. [10]
Параллельно с образованием зародышей из гомогенного пересыщенного раствора в реальных процессах кристаллизации наблюдается возникновение зародышей будущих кристаллов вследствие истирания ( измельчения) кристаллов при их столкновениях друг с другом, со стенками аппарата или с лопастями механической мешалки. Такой процесс называют вторичным, гетерогенным зародышеобразованием; он имеет не термодинамическую, а чисто механическую природу. [11]
Таким образом, существует целый ряд причин, связанных с тонкими физическими деталями реального процесса кристаллизации и вызывающих отклонения от предложенных выше простых зависимостей. [12]
Иначе говоря, молекулярно-кинетическая теория приходит к выводу, что кристалл может начать расти лишь при пересыщении ( переохлаждении), не меньшем, чем десятки процентов. Однако реальные процессы кристаллизации начинаются при сколь угодно малых пересыщениях, порядка долей процента, причем реальные кристаллы тем более совершенны, чем меньше пересыщение, при котором они росли. Это противоречие, выяснившееся в 50 - х годах XX в. [13]
При достижении температуры кристаллизации на кривой температура - время появляется горизонтальная площадка, так как отвод тепла компенсируется выделяющейся при кристаллизации скрытой теплотой кристаллизации. Кривая 2 показывает реальный процесс кристаллизации. Жидкость непрерывно охлаждается до температуры переохлаждения Гп, лежащей ниже теоретической температуры кристаллизации Ts. При охлаждении ниже температуры Ts создаются энергетические условия, необходимые для протекания процесса кристаллизации. [14]
При достижении температуры кристаллизации на кривой температура - время появляется горизонтальная площадка, тай как отвод тепла компенсируется выделяющейся при кристаллизации скрытой теплотой кристаллизации. Кривая 2 показывает реальный процесс кристаллизации. Жидкость непрерывно охлаждается до температуры переохлаждения ТП, лежащей ниже теоретической температуры кристаллизации Ts. При охлаждении ниже температуры Ts создаются энергетические условия, необходимые для протекания процесса кристаллизации. [15]
Страницы: 1 2