Cтраница 5
В результате в активном состоянии оказываются оба триода и в схеме возникает лавинный процесс уменьшения тока нагрузки ( точки 3 - 3 на рис. 23 в), по окончании которого схема переходит в состояние НО. [61]
Механизм пробоя ПТ с управляемым p - n - переходом возникает из-за лавинного процесса в р-п-переходе. [62]
При медленном входном сигнале начало процесса опрокидывания определить практически невозможно, так как лавинный процесс начинается медленно. В то же время длительность фронта выходного импульса не зависит от скорости изменения входного сигнала ( если эта скорость достаточно мала) и определяется только параметрами самой схемы. Так как собственное время переключения туннельного диода весьма невелико, то входные сигналы, полученные с транзисторных устройств, являются относительно медленными и указанная выше ситуация является характерной. [63]
В электрическом поле при напряженности, которая делает возможной ударную ионизацию, возникают лавинные процессы - размножение заряженных частиц электронов и ионов. Расстояние, которое может пройти лавина, равно расстоянию между электродами или при развитии разряда в газовом включении расстоянию между стенками твердой изоляции. Образовавшиеся в лавине электроны и ионы перемещаются под действием электрического поля. В связи с тем, что подвижность ионов значительно больше подвижности электронов, в голове лавины образуется избыток электронов, а в хвосте преобладают положительно заряжен-ые ионы. [64]
Кремниевые диоды могут иметь пробивное напряжение до 2500 в, прооои их объясняется лавинным процессом. [65]
Когда этот ток создаст на R3 падение напряжения, превышающее е0д2, в схеме разовьется лавинный процесс включения транзисторов, при котором рост коллекторного тока одного транзистора вызывает увеличение базового тока другого. [66]