Введение - емкость
Cтраница 1
 |
Измерение емкости конденсатора с помощью генератора прямоугольных импульсов.| J. 13. Схема прибора для измерения емкости постоянных конденсаторов. [1] |
Введение емкости Сг обеспечивает хорошую добротность контура при малом сопротивлении ячейки. Однако при этом уменьшается чувствительность и точное измерение емкости затруднено. Подобное распределение емкостей имеет место при ВЧ титровании в сосудах с внешними электродами ( см. гл. [2]
Таким образом, введение емкости, компенсирующей реактивное сопротивление обмотки управления двигателя, вытекает не из условия обеспечения устойчивости, а из тех же энергетических соображений, что и в усилителях без общей ООС. Следует, однако, отметить, что выбирать способ включения этой емкости ( последовательно с обмоткой управления или параллельно ей) нужно с учетом ЛАХ всего усилителя. [3]
Частотные свойства униполярных транзисторов обычно характеризуются введением емкостей: С. [4]
Ото не означает, конечно, что введение емкости нерационально для рассматриваемой схемы, так как при этом можно получить качественно другие переходные процессы. [5]
 |
Упрощенная эквивалентная схема транзистора ИМС для малого переменного сигнала.| Включение биполярного транзистора по схеме с общей базой. [6] |
Эффекты накопления зарядов в транзисторе можно моделировать путем введения следующих емкостей: двух нелинейных барьерных емкостей p - n - переходов, двух нелинейных диффузионных емкостей и постоянной емкости относительно подложки. Учет накопления зарядов позволяет анализировать частотные и переходные характеристики транзистора. Барьерные емкости моделируют приращение зарядов неподвижных носителей, находящихся в обедненном слое, в случае приращения напряжений на соответствующих р-и-переходах. Барьерная емкость каждого из p - n - переходов является существенно нелинейной функцией напряжения. Введением в эквивалентную схему диффузионных емкостей учитывают влияние зарядов подвижных носителей в транзисторе. Этот заряд подразделяется на две составляющие, одна из которых связана с током коллекторного генератора, а другая - с током эмиттерного генератора. Учет емкости транзистора относительно подложки необходим для анализа характеристик не только интегрального транзистора, но также других элементов ИМС. В действительности эта емкость представляет собой барьерную емкость р-п-перехода и зависит от напряжения между эпитаксиальным слоем и подложкой. В большинстве случаев ее представляют в виде постоянной емкости, что достаточно точно характеризует влияние изолирующего перехода. [7]
 |
Структурная схема вычислительного блока ЛЩР-1. [8] |
Счетчики данной структуры, собранные из рассмотренных выше типовых ячеек при введении корректирующих емкостей ( порядка 240 пф), могут надежно работать до частоты 100 кгц при 13 двоичных разрядах. [9]
Частотную и угловую погрешности, проявляющиеся при измерениях на переменном токе, в основном компенсируют введением емкостей в параллельную цепь прибора. [10]
Это положение особенно важно для дистанционных передач поворота первичных приборов с малым моментом на оси, так как позволяет простым способом ( например, введением емкости в обмотку возбуждения одного из сельсинов) свести момент на датчике лишь к величине момента трения при сохранении или даже увеличении на оси приемника момента, полученного без сдвига фаз при том же рассогласовании между осями датчика и приемника. [11]
 |
Осциллограмма выпрямленного is и первичных фазных i Hi. [12] |
Однофазная нагрузка при импульсном включении трансформатора с низким коэффициентом мощности ( созф) нагружает сеть неравномерно и ухудшает работу других потребителей энергии, cos ф повышают введением емкости или дополнительного переменного сопротивления, компенсирующего индуктивность. [13]
Облааь коллектора, расположенного непосредственно у эмиттера ( см. рис. 1.21), на эквивалентной схеме характеризуется емкостью Ска - Влияние области коллектора, находящейся у базы, учтено введением емкости С П, величина которой характеризует также емкость между выводами коллектора и базы. [14]
Введение емкостей С разумеется, не отразится на распределении потенциалов при состоянии равновесия схемы, показанных на рис. ( 5.19. Поэтому па левом конденсаторе С как в начальный момент / - (), так и в течение всей первой фазы переброса будет напряжение 70 в и на правом - 136 в. [15]
Страницы: 1 2