Введение - смещение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Дипломатия - это искусство говорить "хоро-о-ошая собачка", пока не найдешь камень поувесистей. Законы Мерфи (еще...)

Введение - смещение

Cтраница 3


В дополнение к этой схеме предполагается, что в системе имеется отрицательная обратная связь по напряжению двигателя. Связь по напряжению снимается с потенциометра обратной связи. Узел входного напряжения t / gx:, суммирующего магнитного усилителя СМУ и обратной связи, который должен быть добавлен к схеме на рис. 12 - 23 а, показан на рис. 12 - 27 а. Суммирующий магнитный усилитель получает на обмотку ОУ1 разность сигналов задающего напряжения и обратной связи по напряжению. Обмотка ОУ2 может быть использована для токовой связи, а обмотка ОУЗ-для введения смещения.  [31]

32 Варианты схем осуществления отрицательной обратной сиязи ( ООС в МТЯ. [32]

Быстродействие МТЯ ограничивается временем ввода транзистора в состояние насыщения и временем вывода его из этого состояния. ПОС способствует улучшению быстродействия МТЯ, сокращая время ввода транзистора в состояние насыщения ( время тп. Помимо предотвращения ложных срабатываний введение смещения благоприятно сказывается и на быстродействии МТЯ, сокращая тр. Это влияние объясняется следующим образом. В результате неосновные носители заряда рассасываются из n - области базы не только в коллекторную, но и в эмиттерную цепь, чем и объясняется уменьшение времени tp при введении смещения.  [33]

Быстродействие МТЯ ограничивается временем ввода транзистора в состояние насыщения и временем вывода его из этого состояния. ПОС способствует улучшению быстродействия МТЯ, сокращая время ввода транзистора в состояние насыщения ( время тп. Помимо предотвращения ложных срабатываний введение смещения благоприятно сказывается и на быстродействии МТЯ, сокращая тр. Это влияние объясняется следующим образом. Напряжение смещения, приложенное минусом к эмиттерному / - / г-переходу, в процессе вывода транзистора из насыщения действует аналогично напряжению Ек, которое тоже приложено минусом к р-п-переходу коллектора. В результате неосновные носители заряда рассасываются из гьобласти базы не только в коллекторную, но и в эмиттерную цепь, чем и объясняется уменьшение времени тр при введении смещения.  [34]



Страницы:      1    2    3