Кратковременный процесс - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Если памперсы жмут спереди, значит, кончилось детство. Законы Мерфи (еще...)

Кратковременный процесс

Cтраница 2


16 Изменение яркости свечепия. а - Zn и б - Мп в ZnS-Mn Ю 8 г / г-фосфорах в зависимости от температуры, при различной интенсивности возбуждения ( / в 1 и 0 2 и при возбуждении светом различных длин волн ( ДВ1 366 му. п Хв, 312. иц. [16]

Свечение Мп состоит из кратковременного процесса ( или процессов), наблюдающегося при комнатной температуре в течение тысячных долей секунды, и длительного процесса, продолжающегося у фосфоров с малым содержанием Мп при комнатной температуре в течение нескольких секунд.  [17]

Контактная сварка относится к кратковременным процессам. Нагрев металла до требуемых температур зависит от тока и усилия сжатия, которые существенно влияют на количество, размеры и скорость исчезновения микроконтактов.  [18]

Близким к адиабатным можно считать кратковременные процессы ( резкое сжатие воздуха в цилиндре, удар молота о наковальню), где вследствие малости времени отдача теплоты окружающей среде практически равна нулю.  [19]

В НЛО важную роль играют кратковременные процессы, особенно в связи с возбуждением пикосекунд-ными лазерами. Для наблюдения таких процессов необходима соответствующая техника быстрой-регистрации. Для субнаносекундной области оказывается применимой описанная в предыдущем разделе техника фотоэлектрической регистрации. Здесь мы опишем некоторые методы и вспомогательные средства, дополняющие фотоэлектрические методы регистрации и позволяющие достигать еще-более высоких временных разрешений.  [20]

Абсолютно упругий удар - это очень кратковременный процесс взаимодействия ударяющего тела и системы, в результате которого тело отскакивает, а система приобретает некоторый импульс движения в направлении удара. При этом кинетическая энергия, которую имело тело в момент непосредственно перед ударом, полностью переходит в кинетическую энергию тела и системы после удара.  [21]

Электронный осциллограф позволяет наблюдать и фотографировать кратковременные процессы длительностью 10 - 6 - г Ю-7 сек.  [22]

Эта сх: в хорошо описывает кратковременный процесс нагрева длинных рабочих уча ков стержпгй из малотеплопроводного металла при высокой плотности тока.  [23]

При дальнейшем увеличении интенсивности возбуждения роль кратковременных процессов будет возрастать, а доля излучения, приходящаяся на длительное свечение, будет уменьшаться.  [24]

Экраны с длительным послесвечением для регистрации однократных кратковременных процессов выполняются двухслойными. Слой фотолюминофора 1 ( рис. 8.8 а), нанесенный на стекло, обладает длительным послесвечением. На него наносится второй слой - катодолюминофор 2 с малым послесвечением. Электронный луч возбуждает свечение катодолюминофора, которое передается фотолюминофору.  [25]

Обычный круг проблем, связанных с кратковременными процессами и с влиянием свойств когерентности в нелинейной оптике, представлен по возможности с единой точки зрения.  [26]

Электрические методы измерения позволяют применять для регистрации кратковременных процессов безынерционные датчики и устранять влияние сил трения на результаты показаний приборов. Этим методом удобно пользоваться как в лабораторных, так и в производственных условиях, регистрируя одновременно несколько процессов, различных по своей природе и протекающих в разных местах машины.  [27]

Применение подобных источников представляет интерес при регистрации кратковременных процессов, происходящих в поглощающей ячейке. Сокращение времени регистрации ( экспозиции) до 10 - 3 сек позволяет исключить наложение спектра испускания поглощающей ячейки, поэтому импульсные источники света целесообразно применять при фотографической регистрации спектров, например, с целью качественного анализа.  [28]

Температура вспышки T ( t) вызывается кратковременным процессом и требует рассмотрения нестационарного режима. Для расчета температуры вспышки выбирается следующая схема. Режущее зерно принимаем за бесконечный стержень, движущийся по некоторому телу, которое можно представить в виде полупространства.  [29]

Физически это объясняется тем, что при кратковременных процессах рекомбинацией дырок в базе можно пренебречь. В наибольшей степени это справедливо для диффузионных диодов.  [30]



Страницы:      1    2    3    4