Целенаправленное введение

Cтраница 1

Целенаправленное введение в ДЛФ различных вкусовых, консистентных и стабилизирующих добавок оправдано не только с физико-химической и технологической стороны, но и с фармакологической, так как это во многих случаях обеспечивает более высокую биодоступность и специфическую активность, повышает безвредность и микробную чистоту, при необходимости пролонгирует действие субстанции, что в целом ставит их, по сравнению с лексредствами аналогами для взрослых, на более высокий уровень эффективности, качества и конкурентоспособности. [1]

Температурные зависимости интенсивности люминесценции ( а и радиотермолюминесценции ( б в различных полимерах. [2]

Интенсивность свечения в основном определяется не самим полимером, а присутствующими в нем примесями, целенаправленное введение которых в отдельные элементы структуры позволяет расширить возможности РТЛ. [3]

Общий потенциал ферментов смешанной культуры может быть распределен между различными микробными видами. В случае неконтролируемого распределения управляемая утилизация сточных вод, например для культивирования определенных видов водорослей, представляет довольно трудную задачу. Таким образом, возникает возможность целенаправленного введения генов в экосистему, как это успешно делается в сельском хозяйстве. [4]

Химическое течение играет большую роль не только в описанных лучаях. Оно проявляется при переработке любых полимеров, в осо-енности находящихся в высокоэластическом состоянии. Умение правлять процессом химического течения означает умение регулиро-ать процесс переработки. Это осуществляется не только изменением ехнологического режима, но и целенаправленным введением инги-иторов, пластификаторов, наполнителей и других ингредиентов, юнованным не на интуиции и искусстве технолога, а на глубоких зна - [ иях закономерностей течения. [5]

В определенной области пространства разность ( Fc-FV) больше ширины запрещенной зоны, благодаря чему в некотором слое полупроводника выполняется условие усиления. Для повышения плотности тока в области р, n - перехода чаще всего выбираются специальные формы образцов полупроводников, обеспечивающие ограничение области тока и хороший отвод тепла, связанного с потерями. Тем самым в GaAs-лазерах достигаются пороговые токи для лазерного режима, имеющие порядок 10 1 А. Особенно эффективными оказываются так называемые одноямные и многоямные структуры кривых потенциала, в которых создаются определенные области минимумов, имеющие малые размеры. Это достигается путем целенаправленного введения примесей. Многие лазерно активные области такого структурированного полупроводника можно заставить взаимодействовать между собой, и тогда возникающее суммарное излучение будет пространственно когерентным, причем могут достигаться высокие мощности ( порядка нескольких ватт) в непрерывном режиме. От большинства других лазеров полупроводниковый лазер отличается малыми размерами активной среды. Благодаря тому что длина активной области мала, можно работать с предельно короткими резонаторами. В простейших схемах торцевые поверхности полупроводника с высоким показателем преломления играют роль зеркал резонатора. Малой оптической длине резонатора соответствуют очень большие расстояния между модами 6v c / 2L; при L 0 5 MM 6v принимает значение 300 ГГц. Если необходим внешний резонатор, то торцевые поверхности полупроводника должны быть тщательно просветлены. [6]

Страницы: 1