Дозированное введение
Cтраница 1
Дозированное введение НП в непрерывном режиме обеспечивает присутствие одинакового количества зародышеобразующих соединений по всему объему металла в кристаллизаторе и создает однородную мелкозернистую структуру слитка по объему. [1]
 |
Внешняя ( Аа ab и внутренняя ASH поверхности твердого тела.| Модель микротрещины на поверхности. [2] |
При дозированном введении ПАВ можно добиться условий, когда легко станет разрушаться только поверхностный слой твердого тела, что означает снижение затрат энергии на разрушение и деформацию тел. [3]
Важное значение имеет химическая чистота припоев и строго дозированное введение необходимых добавок. [4]
 |
Изменение формы кривых К ( Г для маг-нийхромового контакта с изменением температуры, по данным Марголис и Тодеса. Добавка - кремневая кислота. [5] |
Нам кажется, что приведенные опытные данные достаточно убедительно показывают распространенность химического механизма образования труктур, обладающих высокой каталитической активностью, и большую эффективность дозированного введения активных добавок в готовые и образующиеся контакты. Мы применяли три метода: обработку газом, обработку растворами и захват при конденсации и, эпизодически, также электрохимический захват. [6]
При необходимости их оснащают устройствами подогрева концентрата, воды и готовой эмульсии ( термоэлектрическими нагревателями или паровыми змеевиками), емкостями и устройствами приготовления, хранения и дозированного введения присадок. [7]
Технология приготовления бурового раствора из порошкообразных материалов представляет собой ряд последовательных операций, включающих расчет компонентного состава, подготовку материала к выгрузке из бункеров БПР и транспортирование его в зону смешения, дозированное введение материала в дисперсную среду, диспергирование компонентов и гомогенизацию готового раствора. [8]
 |
Гидравлический перемешиватель [ IMAGE ] Механический перемешиватель. [9] |
Технология приготовления бурового раствора из порошкообразных материалов представляет собой ряд последовательных операций, включающих расчет компонентного состава, подготовку материала к выгрузке из бункеров БПР и транспортирование его в зону смешения, дозированное введение материала в дисперсионную среду, диспергирование компонентов и гомогенизацию готового раствора. [10]
Для увеличения скорости выделения жидкости из пленок, содержащих ингибитор коррозии, может быть использована способность структурных капсул к самопроизвольному разрушению под действием внутренних напряжений, запасенных в пленке в процессе изготовления или возникающих при эксплуатации. Интенсивность самопроизвольного разрушения структурных капсул регулируется путем дозированного введения в состав капсулируемой ингибирующей композиции жидких пластификаторов для полимеров, из которых изготовлена пленка. [12]
Лужением называют нанесение на поверхность материала расплавленного припоя, смачивающего эту поверхность и кристаллизующегося на ней. Лужение является способом подготовки поверхности соединяемых металлов под пайку и дозированного введения припоя в зону пайки. [13]
Направление оптоэлектроники, посвященное исследованиям и разработке оптоэлектронных микросхем, называют интегральной оптоэлектроникой. Основные конструктивно-технологические концепции интегральной оптоэлектроники аналогичны концепциям микроэлектроники - это миниатюризация элементов оптоэлектронных микросхем, преимущественное развитие плоскостных конструкций панельного типа, интеграция элементов и компонентов, разработка и использование сверхчистых материалов с дозированным введением нужных примесей, применение в производстве групповых методов обработки. Существуют полупроводниковые и гибридные оптоэлектронные микросхемы. Рассмотрим основные разновидности оптоэлектронных микросхем. [14]
Принципиальное отличие полупроводников от металлов состоит, например, в том, что электрическая проводимость их значительно возрастает с повышением температуры. У металлов же, наоборот, электрическая проводимость с повышением температуры падает. Очень важно, что электрической проводимостью и некоторыми электрофизическими параметрами, а также во многих случаях каталитической активностью полупроводников можно управлять путем дозированного введения малых примесей - микродоз веществ. [15]
Страницы: 1 2