Cтраница 2
В процессе искусственного введения примесей в полупроводник ( называемого легированием) уровень Ферми смещается: для доноров - вверх, а для акцепторов - вниз. При изменении температуры изменяется и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике: при переходе к собственной проводимости ЙР смещается ближе к середине запрещенной зоны. [16]
Работа газоотделителя проверяется путем искусственного введения воздуха в ту часть трубопровода, которая находится перед насосом или перед газоотделителем. Об исправности устройства свидетельствует отсутствие пузырьков воздуха в потоке, наблюдаемое через стекло воздухоуказателя. [17]
![]() |
Спусковой регулятор без собственных колебаний. [18] |
Демпфирование собственных колебаний достигается путем искусственного введения в прибор различных сил сопротивления, определенным образом влияющих на характер собственного движения его подвижной системы. [19]
![]() |
Зависимость концентрации продуктов износа ( к в масле от продолжительности его работы в двигателе ( t. [20] |
Нормативы определяют экспериментально, путем искусственного введения дефектов или путем накопления и статистической обработки результатов эксплуатационных наблюдений. [21]
Заметим, однако, что искусственное введение тех или иных добавок в анализируемую смесь для исследования их влияния вызывает усложнение естественной кинетики процесса за счет протекания побочных реакций. [22]
Из этого следует, что искусственное введение прогестерона женщине препятствует овуляции, а значит, и возможности оплодотворения. Однако прогестерон имеет тот недостаток, что при приеме через рот он неэффективен, так как разлагается в пищеварительном тракте. [23]
Практическая реализация такого подхода требует искусственного введения в рассмотрение добавочной ( нулевой) силы Fo, а также обеспечения строгого соответствия между правилами знаков для тепловых и силовых деформаций; второе требование выполняется автоматически путем использования для решения задачи подвижных координатных осей ( см. гл. [24]
Градиент механических свойств можно получить путем искусственного введения между поверхностями трения промежуточного слоя или путем выбора такого материала, который под действием больших скоростей и градиента температур в результате различных физико-химических процессов на поверхностях трения самопроизвольно создавал бы этот промежуточный слой. [25]
Метод решения будет заключаться в искусственном введении некоторых фиктивных зарядов: при нахождении потенциала срь кроме плотности зарядов plf распределенных в первой среде, мы вводим фиктивную плотность зарядов р, распределенных во второй среде. [26]
Аналогичное раздвоение происходит и при искусственном введении небольшого переменного напряжения на выход высоковольтного выпрямителя. [27]
Отличительной особенностью работ этого направления является искусственное введение в уравнения замкнутой системы малого параметра с целью преднамеренного формирования и последующего раздельного анализа разнотемповых процессов в замкнутой системе. При этом тип уравнений замкнутой системы, вообще говоря, остается неизменным, иначе: все уравнения замкнутой системы, как и разомкнутой системы, остаются дифференциальными. [28]
Другой особенностью параметрического генератора является необходимость искусственного введения нелинейности для осуществления ограничения амплитуды генерируемых колебаний. В качестве нелинейности может быть, например, использована индуктивность со стальным сердечником, который при достижении амплитудой тока определенного уровня доводится до магнитного насыщения. [29]
Начальную стадию кристаллизации можно значительно ускорить искусственным введением в раствор зародышей малых частиц кристаллизующегося вещества, так называемой затравки. Кристаллы затравки не должны быть меньше определенных для данного вещества и температуры размеров, так как очень мелкие частицы могут оказаться термодинамически неустойчивыми и будут растворяться, увеличивая пересыщение раствора. Для получения относительно крупных кристаллов число затравочных кристаллов не должно быть слишком большим. [30]