Быстрый процесс
Cтраница 1
Быстрый процесс определяется содержанием углерода в кристаллах. Так, при jVc 1 0 1017 см 3 на данной стадии отжигается более 50 % / 4-центров. [1]
Быстрые процессы используют в специальных случаях или для частичной очистки стоков. Поэтому обычно выбирают процесс с параметрами в области между стандартной и быстрой аэрацией. [2]
Быстрый процесс автоматизации всех систем летательных аппаратов и внедрение новых систем ставит перед измерительной техникой новые, более сложные задачи. [3]
 |
Индикаторная диаграмма роторно-поршневого насоса. [4] |
Быстрые процессы изменения давления сопровождаются скачкообразным изменением сил, действующих на механизм машины, и вызывают вибрацию и шум. [5]
Первый, быстрый процесс заканчивается за несколько миллисекунд, второй - за сотни миллисекунд. [7]
Быстрые процессы переноса электрона были зарегистрированы для следующих пар ионов: Fe ( CN) - и Fe ( CN) J -, Ce3 и Се4, MnOf и MnOj, Hg2 и Hg, Np02 и NpO, Со2 и Со3, для СЮ и СЮ2, три-а а - дипиридинатов Os ( II) и Os ( III), а также для комплексов Fe ( II) и Fe ( III) с три-5 6-диметил - 1 10-фенантролином. В некоторых из этих реакций скорость обмена невозможно было определить количественно, так как обмен в растворе или на какой-либо стадии выделения протекал слишком быстро. Если скорость обмена можно измерить, то в полученный результат следует внести поправку на любые процессы обмена, которые могли иметь место при химической обработке. [8]
Различают быстрые процессы релаксации, при которых время релаксации тр-т, характерные для установления равновесия в достаточно малых макроскопических элементах среды. [9]
Для быстрых процессов может возникнуть необходимость учета максимально возможной скорости движения частиц по реактору, и в задачх определения области S основное значение приобретает кинетика протекающих реакций. [10]
Анализ быстрых процессов в преобразователях позволил установить зависимость условий - самовозбуждения в схеме от характера нагрузки. [11]
Для быстрого процесса это обстоятельство создает помеху. Такое осложнение удается преодолеть, проектируя на неподвижную пленку изображение детонационной волны, отражаемое от вращающегося металлического зеркала. [12]
Осциллографирование быстрых процессов имеет свои особенности, связанные с большой скоростью их протекания. Это накладывает определенные требования на электронно-лучевые трубки. Так, при импульсах, длительность которых составляет 1 - 2 нсек, и при развертке этих импульсов на экране трубки на несколько сантиметров ( 5 - 10 см) графическая скорость электронного луча составляет ( 5 - 10) 109 см / сек. [13]
Протекание любых быстрых процессов определяется не статическими, а динамическими характеристиками. [14]
Для весьма быстрых процессов предпочтительны такие же структуры, но так как внутренняя часть гранул у них обычно практически не работает, то возникает необходимость уменьшения размера отдельных зерен, конечно, в пределах, обеспечивающих равномерное распределение газа по поперечному сечению слоя контакта. [15]
Страницы: 1 2 3 4