Литографический процесс

Cтраница 1

Литографические процессы являются одними из основных в технологии ИС. На их основе в рабочих слоях полупроводниковой пластины, в металлической, резистивной, изоляционной пленке формируют элементы ИС определенных размеров и конфигурации в соответствии с топологическим чертежом. [1]

Целью литографического процесса является образование фоторезистной маски, которая служит либо для локальной обработки нижележащего слоя подложки, либо сама является требуемым микрорельефом ДОЭ. [2]

Схема подтравливания на границе подложка - резист, обусловленного потерей адгезии. [3]

Для достижения высоких результатов всего литографического процесса необходимо обеспечить хорошую адгезию резиста к подложке на всех стадиях обработки. [4]

Экспериментальное определение чувствительности позитивных электронорези-стов на основе измерения скорости проявления. [5]

Разрешение, достигаемое на данной стадии литографического процесса, определяется параметрами экспонирующего устройства, свойствами резистов и факторами, влияющими на скорость обработки слоя резиста и образование нужного рельефа. Когда указывается разрешающая способность резиста, необходимо всегда приводить условия, в которых был образован рельеф, прежде всего ускоряющее напряжение, толщину слоя резиста, условия обработки резиста, а в некоторых случаях и последующих слоев [82], и способы измерения ширины линий. Без этих основных данных невозможно сравнивать отдельные материалы и сопоставлять результаты литографических процессов. Ниже перечислены факторы, оказывающие влияние на разрешающую способность электронной ( I), рентгеновской ( II) и ионной ( III) литографии. [6]

Если взять этот показатель за основу при сравнении различных литографических процессов, то рентгенолитография, как это видно из табл. 7.3, будет вне конкуренции благодаря относительной простоте базовых установок для рентгенолитографии и высокому разрешению метода. [7]

Определяющее влияние на параметры рельефного изображения оказывает качество масок, изготовление которых является важнейшим звеном в технологической цепи литографического процесса. [8]

Экпериментально определяют стандартное отклонение конкретного элемента рельефа во время процесса [148], эта зависимость и является мерой стабильности всего литографического процесса. Требования к воспроизводимости элементов повышаются в связи с ростом точности совмещения и увеличением плотности схем на кристалле в производстве больших интегральных схем. [9]

Детальное изучение адгезии резиста к поверхности диоксида кремния показало [147], что общую проблему адгезии необходимо оценивать комплексно на всех стадиях литографического процесса. [10]

ИС ( или кристаллов) для комплекта ЭШ; Xi DiSKp, SKp - площадь кристалла, Di - средняя плотность дефектов, вызывающих брак на i - й операции литографического процесса. Приведенные выражения позволяют для заданного значения выхода годных и определенной площади кристалла определить допустимую плотность дефектов на шаблоне и установить критерий контроля качества шаблонов. [11]

С уменьшением размеров элементов ИС повышаются требования к допускам на них. В связи с этим серьезной проблемой для литографического процесса становится воспроизводимость ширины линий рисунка ЭШ по всей площади пластины и от пластины к пластине. Для шаблонов, с помощью которых формируются элементы ИС с критическими размерами, обычно требуются допуски не более 0 1 мкм. [12]

МДП-прибор с п-кана-лом на сапфировой подложке. [13]

Благодаря ступенчатой структуре каждого затвора достигается самосовмещение соседних затворов. Такая конструкция требует высококачественной и хорошо отработанной технологии, в особенности литографических процессов. [14]

Принцип негативных и позитивных светочувствительных слоев. [15]

Страницы: 1 2