Кинетический процесс
Cтраница 3
Один и тот же кинетический процесс, характеризуемый определенной величиной плотности энергии разрушения по уравнению (4.26) или ( что то же) одним и тем же управляющим параметром, определяемым по уравнению (4.20), может быть реализован при многообразии условий внешнего воздействия - при различных параметрах цикла нагружения. [31]
 |
Значения констант G и В в уравнении. [32] |
Поскольку уравнения, описывающие кинетический процесс в рамках определенного метода, могут быть представлены общей зависимостью (8.108), то можно предложить и общий метод определения кинетических констант химической реакции без вычисления предельного тока или переходного времени для диффузионного процесса. [33]
Разрушение феноменологически интерпретируется как кинетический процесс со стадийным накоплением повреждения. [34]
Диффузию можно определить как кинетический процесс, связанный с выравниванием неодинаковых концентраций данного компонента в различных местах фазы, обусловленный молекулярным тепловым движением. Законы диффузии впервые установлены А. [35]
Разрушение феноменологически интерпретируется как кинетический процесс со стадийным накоплением повреждения. [36]
Диффузию можно определить как кинетический процесс, связанный с выравниванием неодинаковых концентраций данного компонента в различных местах фазы, обусловленный молекулярным тепловым движением. Законы диффузии впервые установлены А. [37]
Исходя из этого, кинетический процесс оксиэтилирования слагается из двух основных реакций. Одна из них заключается в присоединении первой молекулы окиси этилена к оксиэтилируемому соединению, вторая - в последовательном присоединении молекул окиси этилена к соединениям, содержащим гликолевые концевые группы. [38]
Теория энергетических зон и кинетических процессов в полупроводниках должна быть развита на более широкой основе и охватывать не только полупроводники, примыкающие по своим свойствам к металлическим кристаллам, но и все твердые тела с любыми нарушениями периодичности, вплоть до жидких и аморфных. [39]
 |
Графический расчет среднего времени сорбции методом первого статистического момента. [40] |
Часто удобно для оценки кинетического процесса в целом определить значение D, усредненное по всей кинетической кривой. [41]
Теория энергетических зон и кинетических процессов в полупроводниках должна быть развита на более широкой основе и охватывать не только полупроводники, примыкающие по своим свойствам к металлическим кристаллам, но и все твердые тела с любыми нарушениями периодичности, вплоть до жидких и аморфных. [42]
Поскольку поверхностные реакции являются кинетическими процессами, надо полагать, что они должны подчиняться уравнению Аррениуса. Данн [177] первым подчеркнул эту связь, предвосхитив, таким образом, догадку Пиллинга и Бедуор-та [210] о том, что константы скорости должны быть равны аТ, где а и 9 считались постоянными. [43]
Изучалось влияние различных факторов на кинетические процессы в обоих исследуемых периодах, причем отдельно исследовалось влияние таких факторов, как концентрация А1 ( СгН5) з, соотношения АЦСаНвУПСЬ, соотношения АЦОгНбУСзНе, количество TiCb, парциальное давление пропилена, температура реакции, продолжительность реакции. [44]
В этой главе будут рассмотрены различные кинетические процессы, которыми сопровождается фотовозбуждение сложных органических молекул и молекулярных комплексов в растворе. [45]
Страницы: 1 2 3 4