Диффузионное введение
Cтраница 1
Диффузионное введение фосфора в кремний обычно выполняют при температуре 950 С в течение 10 мин, толщина диффузионного слоя при этом равна 0 25 мкм. [1]
Указанный эффект обусловлен тем, что при диффузионном введении примесей концентрация их получается неравномерной: она убывает по мере удаления вглубь от поверхности. Вследствие этого в базе возникает электрическое поле, направленное к переходу и тормозящее инжектируемые дырки. При переключении диода на обратное направление поле прижимает дырки к переходу и этим растягивает первую фазу процесса рассасывания t %, но к моменту ее окончания в базе практически не остается неравновесных носителей заряда и обратное сопротивление диода почти мгновенно нарастает до стационарного значения. [2]
На заводах интегральных схем эту категорию имеют участки диффузионного введения примесей в полупроводниковые материалы и осаждения слоев различного состава при повышенных температурах. [3]
При создании структур с р - - переходами используется диффузионное введение примеси. Профиль распределения концентрации примеси при диффузии имеет вид плавной кривой, характер к-рой определяется: темп-рой и временем проведения процесса, толщиной слоя, из к-рого осуществляется диффузия, концентрацией и формой нахождения примеси в источнике, а также ее электрич. [4]
 |
Конструктивно-технологические разновидности транзисторов. [5] |
Другую разновидность распространенных в настоящее время транзисторов образуют приборы, изготавливаемые путем комбинирования методов диффузионного введения примесей и вплавления. Методы изготовления таких транзисторов весьма разнообразны. Область базы создается в поверхностном слое пластинки ( 4 на рис. 5 - 14, в) за счет диффузии атомов примеси с противоположным типом проводимости из газообразной среды при повышенной температуре. [6]
 |
Меза-днод с диффузионным р-п переходом. [7] |
Для получения слоев 3, 4, выходящих на защищенную оксидной ( SiOa) пленкой 5 поверхность, прибегают к диффузионному введению примесей. [8]
 |
Структуры полевых транзисторов с изолированным затвором. [9] |
МДП транзисторы со встроенным каналом ( рис. 2 - 71, а) снабжаются каналом, создаваемым технологическими приемами при их изготовлении, чаще всего путем диффузионного введения примеси, изменяющей тип проводимости тонкого слоя на поверхности полупроводниковой пластинки. Если, как это показано на рис. 2 - 71, о, канал / имеет проводимость n - типа, то при подаче на затвор напряжения отрицательной полярности часть основных носителей ( электронов) вытесняется из канала и его проводимость уменьшается. [10]
Все рассмотренные выше технологические операции, используют физико-химические явления и процессы на. Однако в современной микроэлектронике все больше проявляется тенденция заменять эти традиционные методы технологии микросхем перспективными методами и приемами электронно - и ионно-лучевой технологии. В частности, диффузионное введение легирующей примеси в приповерхностный слой кремния все чаще заменяют ионным легированием; различные пленки наносят на поверхность подложки, используя разложение газообразных веществ электронным пучком. Наряду с фотолитографией, основанной на воздействии света на светочувствительные материалы, применяется электронная литография, в которой пучок света заменяют электронным пучком. [11]
Процессы геттерирования начали широко использоваться в технологии создания интегральных схем уже при работе с пластинами диаметром 75 мм. Пока толщина пластины оставалась сравнительно небольшой, наиболее удачной областью для формирования геттерирующей среды являлась обратная сторона пластины. В качестве геттерирующих сред использовались: нарушенные слои, создаваемые путем прецизионной механической обработки; имплантированные слои; слои, создаваемые диффузионным введением до высоких концентраций тех или иных легирующих примесей; пленки поликристаллического кремния и различных силикатов, осаждаемые на нерабочей поверхности пластины. [12]
Страницы: 1