Захват - носитель
Cтраница 3
Он содержит среднюю составляющую / р, определяемую средним числом захватов носителей, и случайную - как отклонение от среднего, т.е. шум. При генерации носителя центром рекомбинации поле электрического перехода переводит носитель в область, где он становится основным. Этому процессу также соответствует элементарный импульс во внешней цепи, но противоположной полярности. Сумма таких импульсов образует генерационный ток, имеющий среднюю / г и флуктуацион-ную составляющие. Эти формулы по форме записи совпадают с выражением для дробового шума, но отличаются по значению спектральных плотностей. [31]
Хогя глубОЕсие уровни не определяются методом SCLC, однако процесс захвата носителей па таких ловушках наблюдался и в квазиаморфном состоянии, которое получалось, сс. Квазиаморфная структура образована очень мелкими кристаллитами. [32]
Условие наблюдения чисто рекомбинационного спада импульсов фототока, не искаженного захватом носителей в ловушки, накладывает ограничения на времена захвата носителей. [33]
В заключении следует отметить, что для полимерных систем, где захват носителей в ловушки сильно выражен, импульсные измерения представляют собой лучший способ получения информации. Времена пролета носителей, измеряемые в неупорядоченных системах, качественно и количественно отличаются от времен, получаемых для кристаллических образцов. В этой связи представляется необходимым рассмотреть наиболее часто используемые методы измерения времен пролета носителей, а затем и общую природу проводимости аморфных материалов. [35]
Несмотря на то что процессы фотовозбуждения носителей электрического заряда и процессы захвата носителей на ловушки ( мелкие и глубокие) являются принципиально важными в механизме записи информации в фоторефрактивных кристаллах ( ФРК), эта проблема изучена еще недостаточно полно и лишь в отдельных случаях можно говорить о достаточно установившихся представлениях. Совершенно ясно, что важнейшее требование для формирования объемного заряда под действием света - это наличие примесных центров в запрещенной зоне кристалла - доноров, которые обеспечивают появление электронов при освещении, и центров захвата электронов - глубоких ловушек. В простейшем, хотя, по-видимому, достаточно часто встречающемся случае, и донорами, и ловушками являются примеси ионов одного и того же типа атомов, но в различном валентном состоянии. Эта примесь считается важнейшей при записи информации в таких кристаллах, как LiNbO3, KNbO3, ВаТЮ3 и Др. Ионы железа могут присутствовать в окисных кристаллах либо за счет естественного содержания примеси железа в исходном сырье, либо благодаря специальному допированию. [36]
Адсорбированные частицы могут служить как центрами рекомбинации, так и центрами захвата носителей тока. [37]
Аналогичными свойствами обладают и домены, возникающие вследствие уже упоминавшегося увеличения сечений захвата носителей одноименно заряженными примесями. [38]
Как будет показано, тс зависит от времени пролета и от времени захвата носителей. Это получается из соотношения для дрейфового тока / ne d) 7L, где п равно произведению скорости генерации ( при опустошении ловушек) nt ( t) / r ( и эффективного времени жизни носителей гс. [39]
Причиной диффузии вглубь тела носителей тока лишь одного знака является, полагают, захват носителей тока другого знака примесными центрами. Эти явления захвата ( прилипания) носителей тока не во всех случаях экспериментально доказаны, но о них часто говорят, так как они дают возможность придумывать для объяснения сложных экспериментальных закономерностей, наблюдаемых при изучении фотопроводимости, сложные механизмы внутреннего фотоэффекта. Будущее развитие этого раздела полупроводниковой физики покажет, насколько верны эти предположения. Итак, экспериментальным фактом является то обстоятельство, что частотная область фотопроводимости сравнительно очень узка. [40]
Поэтому ниже мы обсудим сравнительно простой случай точного решения задачи двойной инжекции с захватом носителей на мелких ловушках без учета диффузионных процессов. Такой подход был предложен Бонхэмом, который применял точную теорию Парментера и Руппела [301] для безловушечного случая. [41]
Такое расхождение не является неожиданным, так как при расчете не принимался во внимание захват носителей центрами прилипания. Однако, как указывалось в [7], учет носителей на ловушках необходим хотя бы для того, чтобы оправдать применимость диффузионной теории для описания явлений в компенсированных слоях SiC высокого удельного сопротивления, в которых диффузионная длина дырок очень мала ( вследствие низкой подвижности и малого времени жизни), а дебаевская длина экстремально велика. [42]
Таким образом, если предположить, что обедненный слой достаточно чист, и шумами захвата носителей тока дефектами решетки можно пренебречь, то при усилении тока электронных лучей с дробовыми шумами в полупроводниковых структурах с p - n - переходами не возникают дополнительные шумы. Кррме того, в обратно смещенных р-п-переходах всегда имеются шум темнового тока и низкочастотный контактный фликкер-шум. [43]
Следует иметь в виду, что при оценке пренебрегали проводимостью в примесной зоне и захватом носителей ловушками в р-об-ласти, хотя оба эти эффекта могут играть заметную роль. [44]
В случае карбидокремниевых диодов необходимо учитывать существование градиентов концентрации примеси в n - области и захват носителей центрами прилипания. [45]
Страницы: 1 2 3 4