Захват - носитель - заряд
Cтраница 2
Важно подчеркнуть, что рассеяние и захват носителей заряда в принципе не являются препятствием для прохождения через диэлектрик токов большой плотности. [16]
Лэкса [ 141 объясняет большие величины сечений захвата носителей заряда на возбужденные уровни центра рекомбинации. [17]
В зависимости от зарядового состояния до и после захвата носителя заряда глубоким ловушкам приписывают донорный или акцепторный характер. Эта классификация аналогична классификации мелких примесных уровней. [18]
 |
Схема прямой рекомбинации носителей заряда ( а и рекомбинации через акцепторный ( б и донорный ( в уровни.. [19] |
Эффективность рекомбинации через ловушку определяется не только вероятностью захвата носителя заряда рекомбинационным центром, но и вероятностью обратных тепловых перебросов в энергетические зоны. [20]
Если произошел захват носителя заряда нейтральным дефектом, то последующий захват носителя заряда должен быть более вероятным в силу кулоновского притяжения между заряженной ре-комбинационной ловушкой и носителем заряда другого знака. [21]
Если произошел захват носителя заряда нейтральным дефектом, то последующий захват носителя заряда должен быть более вероятным в силу кулоновского притяжения между заряженной рекомби-национной ловушкой и носителем заряда другого знака. [22]
Экспериментально было установлено, что поверхностные состояния отличаются временами захвата носителей заряда. Различают медленные и быстрые поверхностные состояния в зависимости от времени обмена носителя между ними и объемом полупроводника. Медленные состояния имеют большие времена захвата ( от 1СГ1 с до нескольких часов), так как носители заряда при переходе из объема полупроводника на эти уровни должны перейти через окисный слой, являющийся диэлектриком. [24]
Экспериментально было установлено, что поверхностные состояния отличаются временами захвата носителей заряда. Различают медленные и быстрые поверхностные состояния в зависимости от времени обмена носителями между ними и объемом полупроводника. [26]
Экспериментально было установлено, что поверхностные состояния отличаются временами захвата носителей заряда. Различают медленные и быстрые поверхностные состояния в зависимости от времени обмена носителя между ними и объемом полупроводника. Медленные состояния имеют большие времена захвата ( от 1СГ1 с до нескольких часов), так как носители заряда при переходе из объема полупроводника на эти уровни должны перейти через окисный слой, являющийся диэлектриком. [28]
Значительно менее ясна роль протонсодержащих группировок окисленной пленки в захвате носителей заряда полупроводника. Как видно из рис. 5 3, дегидратация структур Si - Si02 в вакууме приводит к резкому снижению отрицательного оптического заряжения. Выдержка структуры в насыщенных парах воды сопровождается полным восстановлением величины захватываемого при освещении электронного заряда [50, 52], Аналогичное влияние на отрицательное оптическое заряжение оказывает присутствие паров воды в окислительной атмосфере при окислении кремния. Все это позволяет связать центры захвата электронов с молекулами воды или с ее фрагментами [50-52, 56, 59] Однако модель такого водяного центра далеко не ясна. [29]
Для выяснения механизма захвата крайне необходимы данные об оптических с и термических ст сечениях захвата носителей заряда. Как отмечалось в § 5.1, соотношение этих величин характеризует деформацию центра в акте захвата. Первые удачные попытки [189] определения соп и ст межфазных состояний в системе Si02 - Si показали, что величина соп изменяется по кубическому закону с увеличением энергии квантов света, опустошающих эти ловушки. По мнению авторов, последнее указывает на разупорядоченность границы раздела. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5