Cтраница 2
Большинство прямых процессов происходит на поверхности ядра. Поэтому прямые реакции называются часто поверхностными реакциями. Эта особенность прямых процессов обусловлена тем, что при не очень высокой энергии ( 100 МэВ) вероятность пролететь через ядро и не поглотиться им является малой. [16]
Вклад прямых процессов в полное сечение взаимодействия налетающей частицы с ядром-мишенью относительно мал. [17]
Недостатком прямого процесса газификации является значительное содержание в полученном газе смол, кислот и водяных паров. [18]
К прямым процессам относятся такие реакции фрагментации или, что то же самое, скалывания, при которых нуклон высокой энергии, сталкиваясь с ядром, откалывает от него фрагмент, состоящий из нескольких нуклонов. [19]
В прямых процессах атомы полупроводника непосредственно переносятся от исходного кристалла ( источника) к подложке без промежуточных взаимодействий; к ним относятся процессы испарения, сублимации, распыления в разряде. Миграция осевших атомов по поверхности приводит к возникновению устойчивых, зародышей кристаллизации. [20]
При прямом процессе для подсушки влажного топлива требуется значительное увеличение зоны подсушки. При ограниченных размерах шахты газогенератора зона подсушки возрастает за счет реакционной зоны, что приводит к ухудшению процесса газификации и увеличению в газе неразложившихся углекислоты и водяного пара. [21]
При прямом процессе, а иногда и при двухзонном, одновременно с подачей воздуха регулируется также и присадка водяного пара. [22]
В прямых процессах этого типа осаждаемое вещество в исходной среде находится в виде атомного или молекулярного пара ( молекулярных пучков) в вакууме или инертной атмосфере. [23]
При прямом процессе полупроводниковый материал распыляют и его атомы осаждаются на подложке. В непрямом процессе распыляют химические соединения полупроводникового материала, молекулы которого диссоциируют, и ионы полупроводника оседают на подложке, повторяя ее кристаллическую структуру. [24]
В прямом процессе оптическое изображение проецируется на подложку ( обычно из бумаги), покрытую, например, окисью цинка или антраценом, заряженную статическим электричеством. После того, как скрытое изображение проявляется с помощью порошкообразного красителя, он закрепляется на подложке путем тепловой обработки. [25]
В прямом процессе слоем светочувствительного материала покрывают бумагу или другую подложку, на которой и будет находиться получаемое изображение. Поскольку существующие покрытия непрозрачны, то прямой процесс обеспечивает возможность непосредственного получения диапозитивов. [26]
В прямых процессах протекает обмен электронами между орг. Если в-во содержит кратную связь, последняя разрывается с образованием анион-радикалов. Эти частицы способны взаимод. Практически те же типы р-ций протекают и на аноде, только первичным процессом является отдача электронов, приводящая к возникновению катионов и катион-радикалов, к-рые взаимод. [27]
В прямом процессе газификации обогащение газа ( повышение его теплотворной способности) достигается за счет горючих продуктов полукоксования вышележащих слоев. [28]
В прямом процессе газификации, при расположении кислородной зоны в нижней части слоя, это не имеет никакого значения, так как сход золы определяется скоростью выгорания кокса в кислородной зоне. [29]
При прямом процессе газификации воздушное дутье подводится под решетку и окисляет С в СО и СО2 ( зона окисления); при дальнейшем движении вверх СО2 восстанавливается раскаленным углеродом в СО ( зона восстановления), далее газы проходят через зону коксования и подсушки топлива. [30]