Захват - электрон
Cтраница 2
 |
Зависимость сечения диссоциативного прилипания электронов к молекуле N20 от температуры газа - мишени. [16] |
Сечение захвата электрона как процесса перехода между двумя различными состояниями молекулы подчиняется принципу Франка - Кондона. [17]
Сечения захвата электронов и дырок дискретными уровнями могут заметно отличаться благодаря наличию притягивающего кулоновского поля для носителей одного знака и нулевого или отталкивающего кулоновского поля для носителей противоположного знака. [18]
Метод захвата электронов проще кулонометрического и может быть приспособлен для большинства обычных хроматографов. Однако этот метод недостаточно хорошо изучен и, возможно, имеет ряд недостатков; особенно это проявляется при определении неразделенных пиков. Наличие галоид-содержащих соединений в детекторе вызывает уменьшение ионизационного тока, а углеводороды ( при наличии больших количеств) имеют тенденцию его увеличивать. В смеси поэтому могут происходить некоторые промежуточные явления. Возможно, что метод захвата электрона потребует более тщательной очистки или лучшего разделения компонентов пробы на хрома-тографической колонке, чем кулонометрический метод. [19]
Детектор захвата электронов основан на том, что некоторые вещества, имеющие большое сродство к электронам - способны при ионизации образовывать отрицательные ионы. При введении в ионизационную камеру детектора веществ, имеющих большое сродство к электронам, наблюдается резкое уменьшение ионного тока, так как вероятность рекомбинации отрицательных ионов при взаимодействии с положительными ионами примерно в 104 раза больше, чем при рекомбинации положительных ионов со свободными электронами. [20]
Вероятность захвата электрона нейтральной молекулой может быть сравнительно большой, особенно при малой его энергии. Наоборот, вероятность распада отрицательного иона в слабоионизованных газах оказывается малой, так как определяется вероятностью столкновения иона с возбужденной до необходимого колебательного уровня молекулой газа. [21]
Детектор захвата электронов основан на том, что некоторые вещества, имеющие большое сродство к электронам, способны при ионизации образовывать отрицательные ионы. При введении в ионизационную камеру детектора веществ, имеющих большое сродство к электронам, наблюдается резкое уменьшение ионного тока, так как вероятность рекомбинации отрицательных ионов при взаимодействии с положительными ионами примерно в 104 раза больше, чем при рекомбинации положительных ионов со свободными электронами. [22]
Процессы захвата электрона влияют на образование циклогек-сена и циклогексила. Кроме того, четыреххлористый углерод является эффективным акцептором радикалов и будет взаимодействовать с циклогексильными радикалами. Как было замечено Стоуном и Дайном [111], эти процессы уменьшают выходы циклогексена и циклогексила. [23]
 |
Схема фотоэлектронной эмиссии. [24] |
Явление захвата электронов - образование отрицательных ионов происходит, когда при поляризации нейтральной молекулы появляется положительный ион и свободный электрон. При наличии у атомов, входящих в нейтральную молекулу, свободных внешних орбит свободный электрон присоединяется ( прилипает) к такой молекуле, образуя таким образом отрицательный ион. Энергия, которая выделяется при соединении электрона с молекулой или которую надо на это затратить, выражает сродство электрона с молекулой. [25]
Вероятность захвата электрона молекулой, определяющая скорость процесса образования отрицательных ионов, характеризуется обычно эффективным сечением захвата, которое зависит от природы вещества и энергии электрона. [26]
 |
Принципиальная схема электронозахват-ного детектора Грегори. [27] |
Процесс захвата электронов приводит к уменьшению тока в камере детектирования, которое из-за отсутствия в этой камере положительных ионов рекомбинационная теория объяснить не могла. Полевая теория полностью объясняет работу детектора Грегори. [28]
Вероятность захвата электрона молекулой, определяющая скорость процесса образования отрицательных ионов, характеризуется обычно эффективным сечением захвата, которое зависит от природы вещества и энергии электрона. [29]
 |
Принципиальная схема электронозахват-ного детектора Грегори. [30] |
Страницы: 1 2 3 4