Захват - свободный электрон
Cтраница 2
Основное внимание уделяется захвату электронов атомами или молекулами различных веществ и методам детектирования, основанных на этих процессах. При захвате свободных электронов резко изменяются многие характеристики носителей заряда, прежде всего масса и связанные с ее изменением подвижность ионов и сечение рекомбинации. [16]
При адсорбции молекул возможна: а) слабая связь, осуществляемая без участия электронов и дырок, при которой адсорбированная молекула остается нейтральной, но только деформируется ее электронная оболочка и б) прочная связь с участием электронов или дырок катализатора. При захвате свободного электрона решетки сорбированной частицей возникает акцепторная связь, при которой эта частица заряжается отрицательно, а при захвате дырки и отдаче электрона - донорная связь, при которой адсорбированная частица приобретает положительный заряд. Сорбированные частицы при различных формах сорбции обладают различной реакционной способностью. Количество молекул, участвующих в соответствующей форме сорбции, определяется положением уровня Ферми ( уровня химического потенциала электрона) на поверхности, от которого зависит работа выхода электрона. [17]
Оно наблюдается при захвате свободного электрона ионом. Свободно-свободные переходы приводят к тормозному излучению, возникающему при столкновении электронов с ионами ri при переходе электрона внутри непрерывной последовательности термов. [18]
Ловелокк и Липский [41] недавно описали новый метод, основанный на сродстве молекул к электрону, который, по-видимому, может быть применен для идентификации функциональных групп. Энергия, выделяющаяся при захвате свободного электрона нейтральной молекулой, или энергия, необходимая для диссоциации отрицательного иона на нейтральную молекулу и свободный электрон, как известно, носит название сродства молекул к электрону. [19]
Ловелокк и Липский [41] недавно описали новый метод, основанный на сродстве молекул к электрону, который, по-видимому, может быть применен для идентификации функциональных групп. Энергия, выделяющаяся при захвате свободного электрона нейтральной молекулой, или энергия, необходимая для диссоциации отрицательного иона на нейтральную молекулу и свободный электрон, как известно, носит название сродства молекул к электрону. Сродство к электрону различных видов молекул колеблется в широком диапазоне энергий и определяется прежде всего функциональной группой, присутствующей в молекуле особенно в тех случаях, когда в нее входят атомы, отличные от водорода и углерода. [20]
Этот процесс обратен образованию отрицательных ионов захватом свободного электрона в присутствии третьего тела. [21]
Этот процесс обратен образованию отрицательных ионов захватом свободного электрона в присутствии третьего тела. При столкновениях с электронами вероятность разрушения может быть вычислена так же, как вероятность ионизации нейтральных атомов. Условия, при которых столкновения с атомами или молекулами могут привести к разрушению отрицательного иона, определяются величиной относительной энергии движения иона и атома. [22]
Поглощение при связанно-свободных переходах происходит, когда атом со связанными электронами поглощает фотоны с энергией, достаточной для ионизации атома. Обратный процесс называется излучением при свободно-связанных переходах и является следствием захвата свободного электрона в связанное состояние, сопровождаемого излучением фотона, необходимость которого вытекает из условия сохранения энергии. [23]
Процессы в фотопроводнике, даже при наличии в нем центров, способных захватить только один из видов носителей тока и имеющих разные энергетические уровни, могут быть довольно разнообразными. Например, в центрах, способных к захвату электронов, могут происходить захваты свободных электронов, их термическое освобождение, рекомбинации со свободными дырками и термические и оптические рождения свободных дырок из пустых центров, в которых при рождении дырки остается захваченный из заполненной зоны электрон. Эти процессы характеризуются вероятностями, зависящими от соответствующих сечений захвата и от близости уровня центра к границам зон основной решетки. [24]
 |
Зависимость номинального тока от сечения жилы для кабелей 400 / се с разными изоляционными материалами [ по Л. 4 ]. [25] |
Наряду с азотом, который нашел наибольшее применение в кабелях, использующих вместо масла или другой жидкости газ, несомненный интерес представляют электроотрицательные газы - элегаз и фреон, обладающие повышенной по сравнению с азотом электрической прочностью. Важнейшей особенностью этих газов является их способность образовывать стабильные отрицательные ионы за счет захвата свободных электронов. Прочность фреона и элегаза примерно в 2 5 раза выше, чем азота. Элегаз-гексафторид серы ( SF6) является невоспламеняемым инертным газом, термостойким до 800 С, безвредным. Совокупность этих свойств делает элегаз наиболее перспективным для целей использования в качестве электрической изоляции. [26]
Таким образом, можно сделать вывод, что заполнение уровней, расположенных между О и зоной проводимости, а также между Dp и валентной зоной, контролируется положением соответствующих квазиуровней Ферми и что эти уровни в основном являются уровнями прилипания. Заполнение уровней, лежащих между D, и Dp, контролируется кинетическими процессами захвата свободных электронов и дырок, и это заполнение одинаково для всех этих уровней независимо от их энергетического расстояния от Dn и Dp. Уровни, расположенные между 0 и Dp, в основном являются уровнями рекомбинации. [27]
 |
Влияние адсорбции и с заметной адсорбцией водорода на фосфоре в условиях опыта ( по во-люмометрическим измере. [28] |
Откачка связана с десорбцией водорода с поверхности фосфора. Десорбция не должна приводить, в свою очередь, к делокализации дырок или захвату свободных электронов. [29]
Непрерывное излучение в оптической области спектра складывается из тормозного излучения и из излучения, возникающего при гзжхвате свободных электронов атомами и ионами, находящимися в различных состояниях. Присутствие рекомбинационного континуума, соответствующего данному состоянию частицы, захватывающей электрон, можно установить по наличию в области длинных волн спада интенсивности излучения, соответствующего захвату свободного электрона с нулевой энергией. [30]
Страницы: 1 2 3