Сплошная прямая

Cтраница 1

Сплошная прямая показывает, как может изменяться величина прибыли на акцию в зависимости от осуществляемого фирмой в настоящее время финансирования за счет выпуска акций. [1]

Экспериментальная зависимость инкремента ВКР Г - In ( / c / / co от интенсивности узкополосной ( 1 и широкополосной ( 2 накачки. [2]

Сплошная прямая соответствует монохроматической накачке, пунктирная кривая - широкополосной шумовой накачке. [3]

Предел усталости сталей 4340 и 4150 в зависимости от размера неметаллических включений. [4]

Сплошные прямые построены, на основе экспериментов, пунктирные являются экстраполяцией опытных данных. [5]

Зависимость величины 0 / ДР от Р г. [6]

На рис. 2 сплошная прямая построена по значениям С / АР, рассчитанным по формуле, справедливой для пуазеилевского течения воздуха с прилипанием на стенках. Крестиками отмечены значения величины С / АР, полученные в опытах по течению разреженного воздуха. Как видим, в области малых давлений, соответствующей числам К уд-сена, большим 0 01, экспериментальные значения массовой скорости течения газа при единичном перепаде давления располагаются выше расчетной кривой. Эта наблюдаемая закономерность является качественным доказательством выполняемое классических уравнений гидроаэродинамики в приближении Навье - Стокса в области течений со скольжением. [7]

Отражение лучей плоскостями. [8]

На рис. 43 сплошными прямыми обозначены отраженные лучи от плоскостей РР простой решетки, как это делалось при выводе основного уравнения дифракции. Однако, и для плоскостей QQ вставленной решетки будет иметь место такой же ход лучей, что показано пунктиром. [9]

На рис. 50 ( сплошные прямые) представлена такая экстраполяция для Лд - н ЛлгГ и Ах - АхщВ водных растворах. [10]

Определение поло - - 0 73 м, А2 1 77 м ( точки Я / Г жения точки нулевых работ и 56 на Рис - 142 то х - Расстояние нулевой точки от ПК 234. [11]

Пусть на рис. 143 сплошными прямыми изображены линия земли и проектная линия. [12]

На рис. 4.5 точка пересечения сплошных прямых [ Умх и [ Vxx ] соответствует давлению Рстех, лежащему внутри интервала Р - - Р, в котором преобладающими дефектами являются электроны и дырки. Это соответствует предположению, принятому при постановке рассматриваемой задачи о том, что при стехиометрическом составе кристалл является собственным полупроводником. Однако такое предположение не ограничивает применимости полученных приближенных решений, поскольку при их нахождении использовались лишь ограничения, накладываемые на параметры аир. На рис. 4.5 возможный ход зависимостей для концентраций нейтральных вакансий изображен также пунктирными прямыми. Поэтому такой кристалл при стехиометрическом составе является собственно-дефектным полупроводником и-типа, а переход к собственной проводимости происходит лишь при избыточном содержании X. В остальном же поведение такого кристалла не отличается от ранее рассмотренного. [13]

Результаты флуктуа - J 1 / п0 1 - х. [14]

На рис. 184 приведен один пример: сплошная прямая проведена по формуле, а кружками нанесены наблюденные значения. Видно, что экспериментальные точки хорошо ложатся на прямую, тем самым подтверждая статистический характер наблюдаемых флуктуа ций. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5