Пуна
Cтраница 1
Пуны и Солнца над горизонтом одинакова. Считать, что Луна рассеивает весь падающий на нее свет равномерно по всей полусфере. Принять расстояние от Луны до Земли равным 400 000 км, радиус Луны - равным 2000 км. [1]
Пуна), окаймленное цепями Анд ( г. Сахама, 6 780 м); на плоскогорье - оз. [2]
Пуна и хребты Анд ( пик Анкоума, 6550 м), на С. [3]
Пуны, чистоты ЦИНА ( арабск. [4]
Пуны и Солнца над горизонтом одинакова. Считать, что Луна рассеивает весь падающий на нее свет равномерно по всей полусфере. Принять расстояние от Луны до Земли равным 400 000 км, радиус Луны - равным 2000 км. [5]
Бомбей и Пуна), где работали Наороджи, Ранадо и Гокхале, другим крупным центром инд. В городе; работал Р. Ч. Датт ( 1848 - 1909), являвшийся зачинателем нсторико-экономич. [6]
Модель Гуммеля - Пуна отражает процессы в активной зоне базы планарного транзистора. Она позволяет учесть условия работы транзистора при высоких уровнях инжекции. [7]
 |
Модели транзисторов в режиме малого сигнала, соответствующие трем системам параметров четырехполюсника. [8] |
Итак, модель Гуммеля - Пуна позволяет учесть такие эффекты при работе реальных транзисторов в режиме передачи большого сигнала, как зависимости ширины базы, коэффициента усиления по току и сопротивления базы от тока коллектора, а также зависимости барьерных емкостей переходов от приложенных напряжений. Благодаря этим особенностям модель Гуммеля - Пуна обеспечивает хорошее приближение моделируемых статических и динамических характеристик транзисторов к реальным. [9]
Гигантский радиотелескоп метровых волн вблизи Пуна, Индия, состоит из 30 антенн, 16 из которых расположены в форме Y-решетки с искривленными лучами примерно 15 км длины. [10]
ВЕНКАТАРАМАН, Национальная химическая лаборатория, Пуна, Индия. [11]
Зависимости барьерных емкостей от иапряжения описываются в модели Гуммеля - Пуна выражением (10.6), а в других модификациях передаточной модели так же, как и в инжекционной модели. [12]
Многие глобальные пороговые методы ( такие как методы Осту [27], Пуна [32, 33], Капура и др. [16], сохранения моментов [40], минимальной ошибки [19]) могут быть обобщены на случай многих порогов. В данном разделе мы обсудим три метода выбора значений нескольких порогов, которые не вошли в предыдущие разделы данной работы. [13]
Другой часто используемый в программах АСхП вариант модели биполярного транзистора ( рис. 10.6 6) известен как передаточная модель или как модель Гуммеля - Пуна. [14]
Модели с сосредоточенными параметрами, предложенные позднее с учетом структуры планарного транзистора и режимов его работы в интегральных схемах, либо отражают процессы только в активной зоне планарного транзистора ( модель Гуммеля - - Пуна), либо являются двумерными моделями, но не отражают работы при высоких уровнях инжекции ( модель Голубева - Кремлева), либо стремятся отразить все свойство планарного транзистора, но в них объединены диффузионный ток с рекомбинационным током базы, что не позволяет учесть различие зависимостей последних от величины напряжений переходов. [15]
Страницы: 1 2