Защита - диод
Cтраница 4
Однако чрезмерное уменьшение сопротивления недопустимо, так как это увеличивает нагрузку источника t / BX и понижает амплитуду выходного сигнала при положительном импульсе на входе. В параллельном ограничителе ( рис. ПО, б) остаточное напряжение на выходе при отрицательном напряжении Е / вх будет равно прямому падению напряжения в диоде Д Упр и практически не зависит от сопротивления нагрузки. При положительном импульсе на входе часть положительного входного напряжения теряется в резисторе orp, предназначенного для защиты диода и источника входного напряжения от чрезмерно большого тока при отрицательном импульсе на входе. Последовательные ограничители применяют при низкоомных нагрузках, а параллельные - при высо-коомных. [46]
Схема АПЧГ собрана на лампе ЗЛ5 типа 6Ж5П, которая выполняет несколько функций одновременно. Сигнал промежуточной частоты 38 МГц через разделительный конденсатор подается на эту схему с третьего каскада УПЧИ и усиливается лампой ЗЛ5, в анодной цепи которой включен фазосдвигающий трансформатор частотного детектора. Лампа включена в плечо электрического моста постоянного тока, с диагонали которого снимается управляющее напряжение на диод Д1, установленный в блоке ПТК - Величина управляющего напряжения со схемы АПЧГ ограничивается стабилитронами ЗД2, ЗД7 для защиты диода Д1 блока ПТК от пробоя. [47]
 |
Эквивалентная схема СВЧ диода. [48] |
Просачивающаяся мощность не всегда приводит к полному выходу диода из строя. В ряде случаев диод загруб-ляется. Это значит, что его параметры ухудшаются и чувствительность приемника падает. Именно поэтому защита диода от перегрузок является очень важной и серьезной задачей. [49]
Наиболее чувствительными даже к кратковременным перегрузкам являются полупроводниковые приборы, применяемые в устройствах электропитания. Если ток и напряжение полупроводникового прибора превышают предельно допустимые значения, то происходит тепловой или электрический пробой, который разрушает р-п переход. Поэтому полупроводниковые приборы, как правило, обеспечиваются индивидуальной защитой. На рис. 10.10 приведены различные варианты защиты диодов, тиристоров и транзисторов. [50]
Страницы: 1 2 3 4