Пути - пробой - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Каждый подумал в меру своей распущенности, но все подумали об одном и том же. Законы Мерфи (еще...)

Пути - пробой

Cтраница 1


Пути пробоя могут быть прямолинейными или же иметь вид кривых сложной формы. Они могут образовывать полые включения круглого поперечного сечения.  [1]

Предположим, что пути пробоя образуются следующим образом. Благодаря определенным условиям материал внутри канала пробоя расплавляется и частично испаряется. При охлаждении жидкий столб распадается на ряд бусинок, лежащих внутри полого канала. При этом обычно снаружи канала никаких изменений не наблюдается. Предполагается, что путь частичного пробоя либо имеет первичное происхождение, либо вызывается вторичным процессом; это зависит от того, был ли он образован электронными ( или дырочными) лавинами, или же появился в результате иных явлений.  [2]

Для того чтобы построить стереограмму пробоя, необходимо получить пути пробоя одинаковой полярности с обеих сторон образца. Вышеуказанная схема показывает, что кварц обладает для процесса пробоя 32 - й точечно-групповой симметрией.  [3]

Вертикальные плоскости, содержащие пологие пути, являются поэтому элементами групп эквивалентных плоскостей, содержащих пути пробоя, поскольку они меняют свой наклон с изменением температуры.  [4]

При уменьшении температуры пути перемещаются к направлению 1 Ю и переходят в эту конфигурацию почти непрерывно. Пути пробоя, полученные при условиях минимального пробивного напряжения, являются прямыми. Пути, полученные при перенапряжении, меняют направление, так как они пролегают внутри кристалла.  [5]

6 Типовая звездообразная картина. [6]

Становятся неустойчивыми и сменяются парными Прямыми, соответствующими обычному пробою. Пути обычного пробоя, созданные таким образом, заканчиваются разрядом у нижней поверхности кристалла. Следуя в начальном направлении, пути разряда принимают затем ориентацию 110, в которой они постоянны на значительном расстоянии.  [7]

При проведении обычных испытаний оборудование с газовой изоляцией подвергается действию испытательного напряжения так, чтобы не возникала мощная дуга; при таких испытаниях электрическая прочность всей конструкции снижается незначительно. Если пути пробоя проходят целиком в газовой изоляции то ее электрическая прочность может быть восстановлена путем немедленного удаления ионизированного газа из области сильного поля. Как раз высоковольтные выключатели с воздушным дутьем работают по этому принципу.  [8]

Электрический пробой диэлектрика - монокристалла приводит к образованию постоянных каналов, заполненных продуктами разрушения кристалла. Наша цель - классифицировать и описать такие каналы, или пути пробоя, и на основании изучения этих явлений сделать выводы, которые могут быть полезными для нашего понимания процессов пробоя.  [9]

Принято считать, что пути частичного пробоя не зависят от механических свойств кристаллов. Такие кристаллы, как сера и первичный кислый фосфат калия ( PDP), хрупки и не обладают свойствами слоистой спайности. В них образуются только случайно ориентированные пути пробоя. Тот факт, что пути в этих последних кристаллах случайны, как и в других пластических кристаллах, например в хлористом серебре, может быть объяснен их большой поляризуемостью.  [10]

Были сделаны предположения, что вторичные процессы могут быть механическими, термическими или ионными; возможны и третичные электронные процессы, при которых легко захватываемые электроны могут немедленно перебрасываться в зону проводимости, что сопровождается появлением высокой электропроводности; эти ловушки могут образоваться вследствие нарушения структуры кристалла. Купера, Гроссара и Вал-ласа ( § 2 - 8) о наличии неодинаковой внутренней электрической прочности кристаллов по разным кристаллографическим направлениям можно считать достоверными. По мнению Фрелиха, вопрос о том, являются ли пути пробоя первичными или вторичными процессами, трудно разрешить теоретически, так как расчет, по Хиппелю, позволяет установить только электронную неустойчивость, а не условия начала пробоя решетки.  [11]

12 Стереограммы положительного ( а и отрицательного ( б пробоя кристаллов ADP. направления путей пробоя указаны с помощью стереографических полюсов. стрелками показаны направления, в которых смещаются полюса при понижении температуры от 120 до - 50 С. [12]

Картина пробоя не центросимметрична в кристаллах нецентральной симметрии ( кварц, рис. 2 - 7), поэтому метод картин путей пробоя обеспечивает простой и удобный способ для испытания кристаллов центральной симметрии. Так, если пути, берущие начало е двух сторон разделенного среза недвойникованного кристалла, непараллельны, кристалл нецентросимметричен. Обратное утверждение, однако, не всегда правильно, если пути пробоя лежат главным образом в первичных, а не в главных направлениях кристалла.  [13]

Пути электрического пробоя являются однонаправленными в кристаллах нецентральной симметрии, поэтому картины путей полностью согласуются с точечно-групповой симметрией кристаллов. Симметрия кристалла в процессе его пробоя может быть определена из фигур, наблюдаемых в срезе монокристалла произвольной ориентации, но определение упрощается, если ориентация среза известна. Фигуры пробоя, полученные в соответственно ориентированных срезах кристалла, прямо отвечают одной или нескольким стандартным стереограммам точечно-групповой симметрии. Когда пути пробоя пролегают не в первичном направлении, а в главных направлениях кристалла, картина пробоя будет соответствовать только одной из точечно-групповых стереограмм. Следовательно, существуют 32 картины электрического пробоя, соответствующие 32 точечным групповым симметриям. Каждая картина пробоя может содержать несколько различных фигур пробоя сходной симметрии.  [14]

Фигуры пробоя могут быть положительными или отрицательными в зависимости от знака напряжения, приложенного к игольчатому электроду; две фигуры противоположной полярности или идентичны ( подобны), или различны в зависимости от соотношения симметрии между ними. Для того чтобы дать точное определение этим соотношениям, сначала необходимо определить направление пути пробоя. Условимся, что направление пути дано направлением движения гипотетического отрицательного пробного заряда, который движется по некоторой траектории под влиянием приложенного поля. Так, отрицательная фигура состоит из ветвей, направленных от электрода, тогда как пути пробоя, образующие положительную фигуру, направлены к электроду.  [15]



Страницы:      1    2