Р-область

Cтраница 1

Схематическое устройство сканистора. [1]

Верхняя р-область, называемая эмиттером, одновременно является делительной шиной с металлизированными площадками Э1 и Э2 и фоточувствительным слоем. [2]

В р-области объемные заряды отрицательны, а в - области объемные заряды положительны. [3]

В р-области объемные заряды отрицательны, а в п-области - положительны. [4]

Для р-области перешедшие в нее электроны являются неравновесными носителями заряда, поэтому они будут рекомбинировать с дырками валентной зоны. Эти переходы электронов обусловливав ют диффузионную составляющую тока, которая по своей природе является током рекомбинации. На расстоянии диффузионной длины от р-п-перехода происходит рекомбинация электронов и дырок. [5]

В р-области эти электроны являются неосновными носителями и могут рекомбинировать с дырками. Появляющийся за счет диффузии рекомбинационный ток 1пг уравновешивается током генерации Ing, который создается дрейфом электронов из р-области в п-область, возникающих в результате генерации электронно-дырочных пар на р-стороне перехода. [6]

В р-области Йреобладает дырочная проводимость, ее концентрация выражается как NA, т.е. концентрация акцепторной примеси. Электрод, подводимый к р-области, получил название анод. В n - области преобладает электронная проводимость, ее концентрация выражается как, т.е. концентрация донорной примеси. Электрод, подводимый к n - области, получил название катод. В реальном диоде выполняется неравенство NA N, и р - гг-переход получил название несимметричного. [7]

Отдельные п - и р-области ( а, объединенные п - и р-области ( б.| Распределение пространст - - ч. [8]

В р-области электроны, перешедшие из л-области, являются неравновесными избыточными неосновными носителями заряда. При постоянном прямом напряжении U концентрация их у границы слоя пространственного заряда поддерживается на постоянном уровне, зависящем от U. Введение избыточных неосновных носителей при прохождении прямого тока через р-п-переход называют инжекцией. [9]

В р-области объемный заряд отрицательный, а в - области - положительный. [10]

В р-области объемные заряды отрицательны, а в n - области объемные заряды положительны. [11]

В р-области признаки СП течения в сплаве ВТ1 - 00 отсутствуют, хотя некоторый рост относительного удлинения имеет место при температуре более 900 С. Причины невысоких значений удлинения сплава в р-области определить сложно, так как при охлаждении в результате фазовых превращений микроструктура существенно изменяется. [12]

В р-области накапливается избыточный положительный заряд, в п-области - избыточный отрицательный заряд. В результате возникает разность потенциалов - фотоэлектродвижущая сила С / ф, которая приложена в прямом направлении. [13]

Если р-область полупроводника более низкоомна, чем га-об-ласть ( несимметричный переход), то поток основных носителей из р-области будет превышать поток основных носителей из re - области. Когда, например, концентрация дырок в р-области в 100 раз больше концентрации электронов в re - области, то дырочный ток в 100 раз больше электронного. [14]

Окрашивание р-области - по-видимому, результат образования окислов при избирательном, окислении. Этот метод травления имеет следующую особенность: для получения четкой линии перехода образец в период травления должен освещаться белым светом. Роль света неясна, но можно считать, что имеет место фотоэффект. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5