Р-я-переход
Cтраница 1
Любой р-я-переход имеет зарядную и диффузионную емкости, которые изменяются при приложении внешнего напряжения. Варикапом называется диод, специально сконструированный для использования в качестве емкости, управляемой напряжением. В качестве управляемой емкости используется зарядная емкость. Диффузионная емкость не подходит для этой цели, так как она проявляется при прямом смещении р - - перехода, когда сопротивление диода мало, а следовательно, добротность емкости невелика. [1]
Электронно-дырочные р-я-переходы получают сплавным, диффузионным или диффузионно-сплавным методом. Для р-я-переходов применяют монокристаллические пластины германия и кремния площадью 0 5 - 12 5 см2 и толщиной 0 05 - 0 5 мы в зависимости от назначения прибора. [3]
 |
Конструкция точечного р - л-перехода. [4] |
Плоскостные и точечные р-я-переходы создают по сплавной, диффузионной или планарно-эпитаксиальной технологии. В зависимости от применяемой технологии получают сплавные, диффузионные, планарно-эпитаксиальные диоды и их разновидности. [5]
 |
Входные статические характеристики транзистора, включенного. [6] |
Через эмиттерный р-я-переход проходит ток и при напряжении на эмиттере, равном нулю. [7]
 |
Устройство ( а и условное графическое обозначение ( б плоскостного полупроводникового диода.| Устройство точечного полупроводникового диода. [8] |
Пробой р-я-перехода бывает двух видов: электрический и тепловой. При тепловом пробое увеличение проводимости в p - n - переходе происходит вследствие повышения температуры перехода и увеличения собственной проводимости кристалла. Пробивное напряжение при тепловом пробое зависит от температуры окружающей среды, тока диода и условий теплоотвода. [9]
В р-я-переходах могут проявляться три механизма пробоя: лавинный, туннельный и тепловой. [10]
Выпрямительные свойства р-я-перехода используются в полупровод никовых диодах, предназначенных для выпрямления переменного тока в схе мах питания радиоаппаратуры, в схемах автоматики и электротехники. Та -, кие диоды называют силовыми. Высокоомная область диода называется базой. При обратном смещении и при не слишком больших прямых смещениях сопротивление р-п - ( перехода много больше г и поэтому последнее можно не учитывать. Оно про - является лишь при прямых смещениях КПр фо / 7 ПРИ которых потенциаль ный барьер в р - / г-переходе исчезает и основная часть приложенного напр я - - жения падает на пассивных областях диода. [11]
В месте р-я-перехода возникает электрическое поле, направленное справа налево и препятствующее дальнейшей диффузии дырок и электронов. Распределение потенциала в районе р-я-перехода показано внизу на рис. 19.20 и на рис. 19.21, а, причем здесь и далее за нуль потенциала условно принят потенциал в области германия типа р непосредственно около р-п-пере-хода, где уже нет объемного заряда. [12]
 |
Вольт-амперная харак. [13] |
Вольт-амперная характеристика р-я-перехода изображена на рис. 4.5. При больших обратных напряжениях, приложенных к р-п-переходу, возможен электрический пробой. [14]
Осуществив два р-я-перехода на небольшом расстоянии друг от друга, как это схематично показано на рис. 5 9, получим плоскостной транзистор. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5