Cтраница 2
Рассматривается работа диода с тонким аксиально симметричным эмиттером, толщина которого менее 1 мкм. [16]
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления. Работа на второй восхо дящей ветви не допускается. [17]
Допускается работа диода в импульсном режиме при токе в импульсе / дПЛр любой длительности и скважности. [18]
Запрещается работа диодов в импульсном режиме. [19]
Допускается работа диода при напряжениях питания ниже номинального значения. [20]
Допускается работа диодов на емкостную нагрузку, при этом эффективное значение прямого тока через диод не должно превышать 1 57 / пр ср макс. [21]
Допускается работа диодов на емкостную нагрузку, при этом эффективное значение тока через диод не должно превышать значения 1 57 / пр ср. [22]
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления вольт-амперной характеристики. [23]
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления. Работа на второй восходящей ветви не допускается. [24]
Допускается работа диода в импульсном режиме при токе в импульсе / / р любой длительности и скважности. [25]
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления. Работа на второй восходящей ветви не допускается. [26]
Допускается работа диодов на емкостную нагрузку; при этом действующее значение прямого тока через диод не должно превышать 1 57 / ПР СР МАКС. [27]
Допускается работа диодов на емкостную нагрузку. [28]
Допускается работа диодов на емкостную нагрузку. При этом действующее значение тока через диод не должно превышать 1 57 / Пр СР) МАКС. [29]
Допускается работа диодов на емкостную нагрузку. [30]