Работа - модулятор
Cтраница 1
 |
Модулятор, подавляющий несущее колебание.| Физические процессы в балансном модуляторе. [1] |
Работа модулятора происходит следующим образом. Степень шунтирования зависит от знака напряжения, прилагаемого к диодам со стороны зажимов генератора несущей частоты. Отрицательные полупериоды несущего колебания запирают диоды, и ток через нагрузку идет. Следует подчеркнуть, что шунтирующее действие диодного мостика равноценно и для положительного, и для отрицательного полупериодов тока звуковой частоты, хотя в этих случаях действуют разные пары противолежащих плеч мостика. [2]
 |
Фотография модулятора ПРИЗ, изготовленного в ФТИ. [3] |
Работа модулятора может быть построена по циклам. Как обычно, каждый цикл включает этапы записи, считывания и стирания. Во время записи к электродам прикладывается напряжение 1.5 - 3 кВ, считывание производится на просвет, а стирание осуществляется импульсом света, равномерно освещающим рабочую поверхность модулятора при закороченных электродах. [4]
 |
Транзисторный модулятор. [5] |
Работа модулятора иллюстрируется рис. 2.26. Каждый транзистор модулятора работает независимо от другого. Поэтому рассмотрим только один. На рис. 2.26 а показан такой транзистор с приложенными напряжениями и токами, текущими в нем. [6]
Работа модулятора ( рис. 6.4) основана на поочередном открывании и закрывании транзисторов. Входной сигнал проходит на выход. В следующий полупериод управляющего сигнала положительный импульс открывает транзистор VT2, транзистор VT1 закрывается. Выход подключается к нулевой шине. Важным фактором в работе схемы является равенство остаточных напряжений. [7]
 |
Взаимная ориентация направления поляризации считывающего света AR. [8] |
Работа модулятора ПРОМ строится по циклам. Цикл состоит из этапов записи изображения, считывания и стирания. Записываемое изображение проектируется на модулятор синим или фиолетовым светом ( А, 400 - М70 нм), который обеспечивает возникновение фотопроводимости в кристалле BSO. Так как эквивалентная электрическая емкость кристаллической пластины в несколько десятков раз меньше емкости слоев диэлектрика, первоначально практически все приложенное к электродам напряжение падает на кристалле. В освещенных участках кристалла генерируются свободные носители электрического заряда, которые дрейфуют во внешнем электрическом поле и захватываются на ловушки как в объеме кристалла, так и на его поверхности. В результате в кристалле создается неоднородное распределение электрического заряда, которое соответствует распределению интенсивности записывающего света. [9]
Работа модуляторов ширины импульсов рассмотрена ниже на примерах конкретных регуляторов напряжения. [10]
 |
Форма импульса напряжения на выходе модулятора. Л - 90 % среднего значения амплитуды импульса. Б - среднее значение амплитуды импульса.| Схема искусственной. [11] |
Контролируется работа модулятора несколькими измерительными приборами, вмонтированными в щиток управления. [12]
 |
Функциональная схема датчика усилий с ШИМ преобразователем. [13] |
Синхронизация работы модулятора М, демодулятора ДМ и сигма-дельта преобразователя СДП осуществляется схемой синхронизации СС. Нагрузка для источника тока включается между коллектором транзистора и общим проводом. [14]
Принцип работы модулятора состоит в следующем. Напряжение прямоугольной формы в модуляторе возникает в результате того, что на базу транзистора подается то положительное, то отрицательное напряжение от обмотки Тр ( 6 - 7) трансформатора. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5