Cтраница 1
Работа большинства полупроводниковых приборов основана на образовании электронно-дырочного перехода ( р - w - перехода) при контакте полупроводниковых слоев с противоположным типом проводимости. Наиболее широко применяются плоскостные переходы, линейные размеры которых значительно превышают их толщину. [1]
Работа большинства полупроводниковых приборов основана на явлениях, возникающих на контакте металл-полупроводник или полупроводник-полупроводник, и в связи с этим они достаточно подробно анализируются в курсах по полупроводниковым приборам. Поэтому в настоящей главе рассмотрены лишь основные физические процессы, происходящие на контакте двух веществ и позволяющие понять явления в различных типах контактов при прохождении через них электрического тока. [2]
Работа большинства полупроводниковых приборов, в том числе и СЭ, определяется процессами, происходящими с электронами при энергиях вблизи верхних уровней валентной зоны и нижних уровней зоны проводимости. Эта ситуация отражается зонной диаграммой, изображенной на рис. 1.2, а для арсенида галлия и на рис. 1.2, б для кремния. [3]
Работа большинства полупроводниковых приборов обеспечивается примесным механизмом проводимости, тогда как собственная проводимость, связанная с определенной энергией активации электронов собственных атомов полупроводника ( с шириной запрещенной зоны), обычно определяет допустимую температуру эксплуатации приборов. [4]
Работа большинства полупроводниковых приборов нарушается при наступлении собственной проводимости вещества. Поэтому для изготовления этих приборов выгодны полупроводники, у которых собственная проводимость начинает заметно сказываться при возможно более высокой температуре. Например, известно, что германиевые полупроводниковые приборы могут успешно работать при температурах до 80 - 100 С, а кремниевые до 150 - 200 С. Это объясняется тем, что при указанных температурах значительно возрастает собственная проводимость. В рабочих же режимах этих полупроводников электропроводность достигается проводимостью примесного характера. [5]
Принцип работы большинства полупроводниковых приборов основан на специфических явлениях, возникающих на границе раздела между полупроводниками п - и р-типов. [6]
В основе работы большинства полупроводниковых приборов и активных элементов интегральных микросхем лежит использование свойств р - - переходов. Однако р-и-переход не может быть создан путем простого соприкосновения двух полупроводниковых кристаллов с разными типами электропроводности, так как при этом между кристаллами всегда будет существовать некоторый промежуточный слой. Обычно р - n - переходы создают с помощью специальных технологических приемов. [7]
Рассмотрены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, приборов с отрицательным сопротивлением, с зарядовой связью, с нжекцион-ным питанием, полупроводниковых датчиков. Даны выводы основных теоретических соотношений, определяющих их параметры. Описание принципов действия приборов сопровождается соображениями по выбору оптимальных конструкций. [8]
Явления, происходящие в электронно-дырочном переходе, лежат в основе работы большинства полупроводниковых приборов. [9]
Однако в большинстве случаев число дырок и электронов в полупроводниках различно, именно на этом основана работа большинства полупроводниковых приборов. Различие в концентрациях дырок и электронов достигается путем введения примесей. Проводимость, созданная введением примеси, называется примесной. [10]
Однако в большинстве случаев число дырок и электронов в полупроводниках различно, именно на этом основана работа большинства полупроводниковых приборов. Различие в концентрациях дырок и электронов достигается введением примесей. Проводимость, созданная введением примеси, называется примесной. [11]
Явления, возникающие на контакте металл - полупроводник или полупроводник - полупроводник, лежат в основе работы большинства полупроводниковых приборов и в связи с этим достаточно подробно анализируются в курсах по полупроводниковым приборам. Поэтому в настоящей главе рассмотрены лишь основные физические процессы, происходящие на контакте двух веществ и позволяющие понять явления в различных типах контактов при прохождении через них электрического тока. [12]
В части объема монокристалла, прилегающей к границам таких областей, образуются так называемые электрические переходы, физические процессы в которых лежат в основе работы большинства полупроводниковых приборов. Электрические переходы в полупроводниковых приборах создаются путем сплавления двух монокристаллов одного и того же вещества, но с разными примесями, путем диффузии примесей в различные области монокристалла, в результате сплавления монокристалла полупроводника с металлом или же двух монокристаллов различных веществ. Более подробно электрические переходы и физические процессы в них рассматриваются в гл. [13]
Область на границе двух полупроводников с различными типами электропроводности называется электронно-дырочным или п - р-переходом. Работа большинства полупроводниковых приборов ( диоды, транзисторы и др.) основана на использовании свойств одного или нескольких п - р-переходов. Рассмотрим более подробно физические процессы в таком переходе. [14]
Принцип работы большинства полупроводниковых приборов основан на нарушении равновесия между концентрациями свободных электронов и дырок в объеме кристалла. [15]