Работа - выход
Cтраница 3
Работа выхода зависит как от рода проводника ( и его термо-динамическогсг состояния - температуры, плотности), так и от рода заряженной частицы. Например, у одного и того же металла работа выхода различна при удалении заряда в виде электрона проводимости или при удалении иона с его поверхности. Необходимо также подчеркнуть, что работа выхода является величиной, характеризующей поверхность проводника. Поэтому она зависит, например, и от способа обработки и степени загрязнения поверхности. Если проводник представляет собой монокристалл, то работа выхода различна и для разных его граней. [31]
Работа выхода связана с контактным потенциалом формулой А - е0фА, где фй - потенциал металла относительно вакуума, ае0 1 6 - 10 19 - абсолютная величина заряда электрона. [32]
 |
График распределения электронов по величинам энергии s зоне проводимости.| Энергетическая схема взаимодействия электрона с поверхностью металла. [33] |
Работа выхода различна для разных металлов. Наибольшей работой выхода ( 4 - 5 эв) обладают тяжелые металлы ( вольфрам, платина, рений, молибден и др.), имеющие наименьшее расстояние между атомами в кристаллической решетке. [34]
 |
Зависимость торированного катода пературы. [35] |
Работа выхода может быть определена выражением р4 51 - 1 9 бе. Науглероживание поверхности катода происходит в результате прокаливания его в атмосфере какого-либо углеводорода, например нафталина, бензола, ацетилена или водорода в присутствии угля. По мере науглероживания вольфрама возрастает его сопротивление ( это будет иметь место приблизительно до 3 % содержания углерода); далее образуется WC, и сопротивление начинает падать. Это изменение сопротивления позволяет контролировать процесс карбидирования. [36]
Работа выхода из полупроводника и металла в вакуум значительно выше, чем работа выхода из металла в полупроводник. Поэтому в месте контакта возможны переходы электронов, находящихся на уровне ниже уровня поверхностного потенциала. [37]
 |
Упрощенная зонная структура и концентрация электронов вблизи контакта металл - кремний в условиях равновесия, показывающая образование обогащенного слоя в n - Si. [38] |
Работа выхода зависит от состояния поверхности металла и от кристаллической структуры. Наличие естественной пленки SiO2 или загрязнения на контактной поверхности кремния еще более осложняют положение. При этих условиях для получения контакта с кремнием металл необходимо вжечь ( или вплавить) при высоких температурах. В определенных условиях такие термообработки могут привести к появлению неомического барьера из-за образования соединений металла с полупроводником или новых фаз. Относительно мало известно о влиянии поверхностных состояний, которые могут вызвать дальнейшее искривление энергетических зон независимо от величин работы выхода металла и полупроводника и изменить конфигурацию и размеры обедненного слоя. [39]
 |
Зависимость барьерной емкости / 7-п-перехода от величины обратного напряжения. [40] |
Работа выхода из металла фм определяется как работа, необходимая для переноса электрона с уровня Ферми на бесконечно большое расстояние в вакуум. Соответствующая величина для полупроводника обозначена фп. На рис. 2.7, а изображены энергетические диаграммы для металла и для полупроводника п-типа, изолированных друг от друга и помещенных в вакуум. [41]
Работа выхода может быть определена экспериментально, независимо от фотоэффекта, именно путем исследования термоионной эмиссии. Она имеет порядок величины нескольких электрон-вольт. [42]
Работа выхода, которая составляет для вольфрама 4 5 зе, торированного вольфрама 2 7 эв и слоя бария 1 0 зв, для цезия имеет наименьшее известное значение 0 7 эв. Действительно, Беккер [16] показал, что ( одноатомный) слой цезия на оксидированном вольфраме уже при температуре 500 - 600 С дает сильную эмиссию. [43]
Работа выхода может быть измерена или прямыми методами ( фотоэлектрическим, термоионным и методом с использованием холодной эмиссии), или косвенно, путем определения контактной разности потенциала поверхности катализатора относительно неизменяемого электрода сравнения. [44]
 |
Влияние молекулярного водорода на поверхность платины, частично освобожденную электронной бомбардировкой ( D от адсорбированного водорода. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5