Современная радиоэлектроника
Cтраница 2
Развитие современной радиоэлектроники характеризуется быстрой разработкой и широким внедрением усилительных лриборов и устройств новых типов: диффузионных, дрейфовых и многопереходных транзисторов, туннельных и многопереходных диодов, параметрических и квантово-механических усилителей и других. Использование таких приборов вместо электронных ламп позволяет резко улучшить чувствительность и эксплуатационную надежность радиоэлектронных систем и повышает их экономичность, а также открывает широкие возможности для микроминиатюризации аппаратуры и для перехода к перспективной молетромной технологии ее производства. Благодаря этому делается возможным создание более развитых радиоэлектронных систем, способных решать сложные задачи при таких надежностях, весах и габаритах, которые необходимы в трудных и ответственных условиях применения, например на борту космических ракет и кораблей. [16]
 |
Принципиальная схема уснли теля на электронной лампе. [17] |
В современной радиоэлектронике вакуумные диоды находят ограниченное применение. При этом используются свойство односторонней проводимости ( в высоковольтных выпрямителях переменного тока) и очень равномерный ( белый), не зависящий от частоты спектр шума, создаваемого током анода в режиме насыщения. [18]
В современной радиоэлектронике находят применение четырех-слойные полупроводниковые приборы, которые называются тиристорами. Они имеют электрические характеристики, аналогичные характеристикам газотронов и тиратронов. В качестве основного материала в тиристорах используется кремний. [19]
В современной радиоэлектронике находят широкое применение печатные схемы. Однако при расчете и проектировании, изготовлении и эксплуатации печатных схем всех видов возникает множество трудностей. [20]
В современной радиоэлектронике применяются три вида электронных приборов: вакуумные, ионные и полупроводниковые, В течение длительного времени широко использовались вакуумные и в меньшей мере - ионные. Полупроводниковые приборы начали широко применять лишь в последнее десятилетие. [21]
В современной радиоэлектронике широко применяются монокриеталлические феррито-вые материалы, обладающие чрезвычайно высокими техническими параметрами и интересными физическими свойствами. [22]
В современной радиоэлектронике большое распространение получили также устройства, в которых используется качание частоты колебания в широких пределах. Этот вопрос рассматривается в следующем параграфе. [23]
В современной радиоэлектронике с развитием дискретной техники все: большее распространение получают устройства, выполненные на газоразрядных приборах с холодным катодом, в частности на приборах тлеющего разряда. [24]
В современной радиоэлектронике находят применение и другие принципы усиления. [25]
В современной радиоэлектронике большое распространение получили также устройства, в которых используется качание частоты колебания в широких пределах. Этот вопрос рассматривается в следующем параграфе. [26]
Общее состояние современной радиоэлектроники, как и других областей пауки и техники, в значительной мере определяется уровнем развития методов измерения и оснащенностью измерительными приборами. [27]
Решение многих вопросов современной радиоэлектроники, автоматики, физики и других областей науки и техники связано с широким применением корреляционного анализа. Знание корреляционных функций позволяет определять мощность стационарного случайного процесса, спектральную плотность, взаимную спектральную плотность ( для двух процессов), переходную функцию системы. [28]
В ряде областей современной радиоэлектроники ( телевидение, электронно-вычислительная техника, радиолокация, радионавигация и др.) широко используют работу арпаратуры в импульсном режиме, когда напряжения и токи действуют в течение весьма коротких промежутков времени. [29]
В ряде областей современной радиоэлектроники ( телевидение, электронно-вычислительная техника, радиолокация, радионавигация и др.) широко используют работу, аппаратуры в импульсном режиме, когда напряжения и токи действуют в течение коротких промежутков времени. При импульсном режиме кратковременное воздействие чередуется с паузами, длительность которых соизмерима с длительностью переходных процессов. [30]
Страницы: 1 2 3 4