Навесные радиоэлемент

Cтраница 2

Размеры отверстий под выводы ИС, навесных радиоэлементов, разъемов, а также переходных отверстий, как правило, одинаковы. Если принять, что максимальный диаметр вывода любого радиоэлемента е ( в0 6 мм ( см. § 2.4), то размеры отверстий должны быть следующие: после металлизации с. [16]

Подключение громко. оворителеП и внешних источников сигналов к УКУ Олн-ссей - 001 стерео. [17]

Монтаж радиоэлементов на платах осуществляется печатным способом, навесных радиоэлементов - объемным монтажом. [18]

На рис. 6.11 показана схема полуавтомата для установки навесных радиоэлементов с осевыми выводами на печатную плату. В подающее устройство радиоэлементы загружают поштучно вручную, с помощью кассет или лент с вклеенными радиоэлементами. В полуавтомате предусмотрена перенастройка подающего устройства на различные типоразмеры радиоэлементов. [19]

Кроме того, при совместной компоновке ИС в плоских корпусах и навесных радиоэлементов распайка планарных выводов корпусов и штыревых выводов радиоэлементов ведется с помощью различной технологической оснастки, что ухудшает серийноспособность ТЭЗ. Корпуса с расположением выводов по окружности ( например, типа 301.12 - 1, см. рис. 2.30), имеют ограниченное применение, так как их установка на печатной плате требует дополнительной технологической операции - формовки выводов. [20]

Многослойные печатные платы применяются для соединений между выводами устанавливаемых на них навесных радиоэлементов ( преимущественно многовыводных) только тогда, когда соединения невозможно выполнить на двусторонних платах с повышенной плотностью монтажа ( класс В) или когда эти платы не удовлетворяют требованиям электрической схемы или конструкции. [21]

В сборных П и Г - образных конструкциях не рекомендуется использовать в качестве переходных навесные радиоэлементы. [22]

Технологический процесс сборки и монтажа разбивается на три основных этапа: а) подготовку навесных радиоэлементов к монтажу, б) установку на печатных платах и в) пайку. [23]

При массовом производстве электронных измерительных приборов, а также при групповой организации их сборки подготовку навесных радиоэлементов часто совмещают с установкой на печатные платы в автоматизированных или автоматических устройствах ил-и линиях. [24]

На рис. 6.5 - изображена схема работы автоматического устройства для П - об-разной формовки выводов навесных радиоэлементов с одновременным изготовлением зига. Существуют и другие полуавтоматические и автоматические устройства для формовки выводов навесных элементов, в том числе полупроводниковых диодов и транзисторов. [25]

Если в ЦВМ не используют специальные методы повышения надежности, то ее можно представить в виде последовательно соединенных микросхем, паяных соединений, навесных радиоэлементов, контактов разъемов, некоторых механических деталей, отказ любого из которых приводит к отказу всей машины. [26]

Исходные данные для расчета элементов печатных плат ТЭЗ следующие: шаг основной координатной сетки, устанавливаемый ГОСТ 10317 - 72 и равный 2 5 мм; допуски на отклонения размеров и координат элементов печатной платы от номинальных значений, зависящие от уровня технологии, материалов и оборудования; установочные характеристики навесных радиоэлементов. [27]

Метод открытых контактных площадок заключается в получении проводящего рисунка слоев МПП химическим методом и прессовании ( склеивании) печатных слоев в монолитную заготовку. Связь выводов навесных радиоэлементов с контактными площадками внутренних слоев осуществляется через перфорированные окна вышележащих слоев. [28]

Растягивающие усилия должны быть в пределах норм технических условий на микросхемы. При этом должна быть исключена возможность нарушения герметичности корпусов микросхем и других навесных радиоэлементов. [29]

Пластмассовые или керамические корпуса ( чаще всего типа DIP) с 18, 24 и более контактами устанавливают на печатные платы в основном по тем же правилам, что и корпуса обычных интегральных схем. Микропроцессор размещают на многослойной печатной плате размерами 280 х X 200 мм ( рис. 4.103), на которой кроме корпусов БИС находятся две микросхемы и несколько навесных радиоэлементов. Вдоль длинных сторон платы расположены печатные разъемы. Кристалл, содержащий 6000 активных элементов, размещают в стандартном корпусе DIP с 64 выводами. Все остальные БИС помещены в корпусе DIP с 48 выводами. На рис. 4.103 / - БИС периферийной памяти на 18 432 бит каждая; 2 - БИС десятичной арифметики для обработки байтов; 3 - БИС перестановки байтов, содержащая около 1000 логических вентилей; 4 - БИС сдвига байтов; 5 - БИС логических управляющих схем. На каждом из корпусов БИС имеются квадратные крышечки, которыми герметизируют кристалл в корпусе. [30]

Страницы: 1 2