Радиус - экранирование
Cтраница 3
Для металлов радиус экранирования определяется межатомным расстоянием г 1СГ8 см. Для полупроводников радиус экранирования может быть значительно больше. [31]
Здесь JB-H - обычное сечение Бете-Гайтлера, р ж aQZ - - радиус экранирования атома. Интерференционное излучение падает при 0 Этт - Для вольфрама 0тах 2 4 при Т 0, 0тах - 4 8 при дебаевской температуре W. Существенно, что интеграл по всем углам дает как раз такую же интспсинпос / гь, как дли тормозного излучения на изолированном атоме. Поэтому и случае пучка электронов, проникающего сквозь достаточно толстый поликристалл, эффект кристаллической структуры исчезает. Таким образом, действие решетки состоит в формировании острого и узкого максимума за счет некоторого уменьшения фоновой интенсивности. [32]
Отсюда следует неравенство jN / V - 1, означающее, что радиус дебаевского экранирования значительно превышает среднее расстояние между частицами. Поэтому интересующие нас эффекты обусловлены взаимодействием большого числа частиц и в связи с этим такие эффекты часто называют коллективными. [33]
Помимо средних межчастичных расстояний характерными пространственными масштабами, характеризующими пылевую плазму, являются деба-евские радиусы экранирования каждой из подсистем, а также размер пылевых частиц. [34]
Для металлов радиус экранирования определяется межатомным расстоянием r0 10 - 8 см. Для полупроводников радиус экранирования может быть значительно больше. [35]
 |
Альтернативное представление модели Андерсона. периодически расположенные ямы одинаковой глубины на фоне случайного потенциала. [36] |
Сравним боровский радиус ав с другой величиной, имеющей размерность длины, - с радиусом экранирования ге электрического поля, который используется при описании системы свободных носителей. [37]
Преимущество этого уравнения состоит в том, что если расстояние между ионами больше, чем радиус экранирования Томас-Ферми, то система ион электрон почти нейтральна и V близко к нулю. Поэтому, чтобы оценить изменения Et, за счет движения атомов, можно использовать следующее приближение: считать ЕЪ & постоянной ( энергию зонной структуры объемного материала) и использовать простую модель, чтобы увидеть, как меняется U. Чади действительно сумел объяснить наблюдаемые атомные смещения с помощью только двух-параметрической модели для описания U. Его расчет поверхностных структур не является самосогласованным ( см. главу 4), но его вполне достаточно, чтобы объяснить многие аспекты предсказания кристаллографии, не обращаясь к сложным, полностью самосогласованным расчетам энергии системы. [38]
Укажем, что при рассмотренных здесь статических условиях ( v 0) в выражение для радиуса экранирования необходимо должным образом включать ионы. [39]
Столкновения происходят лишь между частицами, проходящими друг мимо друга на прицельных расстояниях р, не превышающих радиуса экранирования а: р а. Если р мало по сравнению с ларморовскими радиусами сталкивающихся частиц, то магнитное поле вообще не сказывается на процессе рассеяния, поскольку на таких расстояниях поле не искривляет заметным образом траекторий частиц. Описание таких столкновений в терминах дрейфовых переменных вообще не является естественным. [40]
Из таблицы следует, что при концентрациях п0, характерных для таких полупроводников, как германий или кремний, радиус экранирования весьма мал ( lO - 4 - 10 - 6 см) и, следовательно, диффузия ( в монополярном случае) распространяется в таких полупроводниках на ничтожные расстояния. Для определения Ди в освещенной области нужно найти решение уравнения (52.15) с правой частью. [41]
Таким образом, если величина v At ( что представляет собой характерную длину / среды, например молекулярный размер, постоянную решетки или де-баевский радиус экранирования) становится сравнимой с длиной волны X, то необходимо учитывать пространственную дисперсию. Например, это может оказаться существенным вблизи резонансной частоты, когда показатель преломления л может быть очень большим и длина волны в среде X Х0 / л может соответственно измениться ( см., например, разд. [42]
Результаты исследования экспериментально наблюдаемых отражений от деформированных монокристаллов [102] показали, что во многих случаях происходит экранирование полей упругих напряжений от дислокаций, причем радиус экранирования гс не намного превышает среднее расстояние между дислокациями. [43]
Прямое излучение бегущей волны тока, описываемое интегралом по лучу (2.60), может быть рассчитано в модели с резко обозначеной границей, названной нами радиусом экранирования. [44]
Необходимость в использовании интеграла столкновений (61.6) при построении теории диэлектрической проницаемости плазмы, учитывающей столкновения частиц, очевидна в случае сильных магнитных полей, при которых радиус дебаевского экранирования оказывается больше гироскопического радиуса электронов. Так же нельзя пользоваться обычным интегралом столкновений в условиях высоких частот, когда период колебания электромагнитного поля оказывается сравним или меньше времени взаимодействия сталкивающихся частиц. [45]
Страницы: 1 2 3 4