Радиус - элемент
Cтраница 3
Так как в ряду аналогичных элементов электронные структуры сходны, но не тождественны, при переходе по каждому такому ряду от одного элемента к другому наблюдается не простое повторение свойств, а их более или менее отчетливо выраженное закономерное изменение в том или ином направлении. Последнее определяется главным образом увеличением радиусов аналогичных элементов по мере возрастания в их атомах числа электронных слоев. [31]
Однако в последнем случае трудно определить значения ковалентпых радиусов элементов, входящих в состав радикала, и здесь более успешным оказывается применение спектроскопических методов. [32]
Правильное уменьшение радиусов в зависимости от атомного порядкового номера позволяет установить порядок величины Sevi по отношению к ASVI. Длины связей бинарных соединений IV VI в структуре В1 дополняют октаэдрические радиусы элементов IV и VI групп. [33]
Зависимость неполярного ко-валентного радиуса от Z выражается кривой, не интерпретируемой математически. Изменение электронной или меньше) - наибольшая актив - плотности и радиусов элементов ность металлов. Другими словами, в зависимости от атомного номера атомы, имеющие более компактные электронные оболочки, склонны к захвату электронов, что может быть оценено, как проявление электроотрицательности элементов. Следовательно, всякий раз, когда атом или ион принимает электроны, его электронная сфера расширяется и, таким образом, уменьшается значение ED. Это связано с понижением вероятности захвата дополнительных электронов и может служить характеристикой элемента. [34]
Размеры разделяются на линейные и угловые. Линейные определяют длину, ширину, высоту, толщину, диаметр и радиус элементов детали. Угловые определяют углы между линиями и плоскостями элементов детали, а также углы между элементами. [35]
 |
Спектр люминесценция прометия в 0 023 М растворе DC1 ( 98 % D2O. [36] |
РЗЭ в трехвалентном состоянии во всех известных комплексных соединениях имеют координационное число, равное шести. Комплексообразующая способность РЗЭ увеличивается в ряду La - Lu в соответствии с уменьшением радиусов элементов. [37]
Линейка 4 служит для выполнения перпендикулярных к базе или выпуклых дуговых элементов профиля. Затем устанавливают ее по блоку так, чтобы центр оси оказался на расстоянии радиуса элемента. [38]
И структура С1 и частная решетка структуры DO3 дают две координации: 8 - для атома Цинтля и 4 - для металлического атома. Если для последнего принять тетраэдрический радиус Полинга, то длины связи в бинарных соединениях IJjIV ( какими являются Mg2Sn) позволяют рассчитать кубические радиусы элементов IV группы и можно допустить, что радиусы свинца и висмута равны для координации 8, как они равны для координации 4, потому что речь идет об одном типе орбит. Тогда частные случаи решетки [ bV ] позволяют получить Liiv и Sbvin и бинарные соединения bVI дополняют тетраэдриче-ские радиусы щелочных металлов и дают кубические радиусы для элементов VI группы. При помощи интерполяции можно получить радиусы PVIII и Asyin исходя из межатомных расстояний бинарных соединений DII3) V2 таких, как ZnsP2, и проследить, что нарушение, вызванное существованием дырки в структуре С /, мало. [39]
Атом или ион должен располагаться в решетке так, чтобы он не мешал реализации элементов симметрии. Поэтому центры элементов структуры могут располагаться или вне плоскостей, осей и центров симметрии, но не ближе к ним, чем на радиус элемента структуры, или лежать точно на оси, в плоскости или в центре симметрии. Это не относится к плоскостям и осям с трансляцией, так как для них отражение или поворот совмещены с переносом, так что элементы структуры не сталкиваются при симметричном преобразовании, будучи ближе к элементу симметрии, чем их радиус. [40]
Однако заполнение 4 / - орбитали в лантанидах приводит к постоянному и прогрессирующему уменьшению атомных и ионных радиусов - лантанидному сжатию, так что радиусы элементов ( и ионов) второго и третьего переходных рядов оказываются довольно близкими. [41]
Поскольку радиусы взаимодействия определимы из уже известных структур, можно составить таблицы стандартных радиусов элементов, за которые принимают половину кратчайшего расстояния между узлами его решетки. Радиусы элементов в ионизированном состоянии подобным образом получены быть не могут. Для их расчета из решетки ионной связи необходимо, чтобы радиус какого-то иона, формирующего большое число однотипных соединений, был известен из посторонних структурному анализу экспериментов. Такими ионами являются О2 - или F1, радиусы которых могут быть получены измерением молярной рефракции. Располагая радиусом иона О2 -, можно получить радиусы катионов из структур окислов, а располагая радиусами катионов, получить радиусы других анионов, образующих кристаллы ионной связи. По окончании расчетов возникнет система ионных радиусов, оп-пределяемая радиусом того аниона, который положен в основу расчета. [42]
С учетом четырех потенциалов ионизации оказывается, что прочность связи валентных электронов с ядром выше у атома Ge. Этим и объясняется более высокое значение ОЭО германия по сравнению с кремнием. Радиусы элементов также изменяются немонотонно. При переходе от С к Si наблюдается резкое возрастание атомного радиуса, а затем радиус меняется незначительно. [43]
МКП, определяемая согласно (3.65) энергией входного сигнала, квантовым выходом фотокатода и усилением МКП. V 1 Н / м, 633 нм и полного отклонения мембраны 6 / 4 время записи составляет 0 6 мс, хотя, как мы знаем, отклик самой мембраны на электростатическое воздействие лежит в диапазоне от единиц до десятков микросекунд. Бремя записи лложет быть снижено при уменьшении радиуса элемента ( мембраны) и повышении тока МКП в пределах допустимых значений, определяемых технологическими возможностями и дифракционной расходимостью света, с одной стороны, и усилением МКП и ее нагреванием - с другой. [44]
Из геометрических представлений вытекает, что перекрытие ван-дер-ваальсовых сфер атомов-заместителей в - положении больше, чем в [ - изомерах. Поэтому в первом случае можно ожидать большего изменения объема молекул, а значит и их рефракций. Отсюда, и величина самого эффекта должна коррелировать со значениями зан-дер-ваальсовых радиусов элементов. В табл. 99 выписаны соединения в порядке увеличения перекрывания ван-дер-ваальсовых сфер заместителей. [45]
Страницы: 1 2 3 4