Электронно-микроскопический анализ
Cтраница 4
Фазовый состав подобного ситалла представлен кордиеритом, эк-статитом, шпинелью и алюмотитанатом магния. Электронно-микроскопический анализ полученного ситалла CT38 - I характеризует высокую степень кристаллизации ( 90 - 95 %), причем структура ситаллов представляет собой гомогенную смесь, состоящую из кристаллических и аморфных уча-стков. [46]
 |
Электронная микрофотография структуры г. [47] |
При полировке подложек окисью кремния, как уже отмечалось, снимаются нарушения, характерные для полировки алмазной пастой АСМ-05, но остается дефект, присущий обработке самой окисью кремния - это повышенная плотность дислокаций. Эти пирамиды равномерно распределены по всей площади эпитаксиального слоя. Электронно-микроскопический анализ на просвет ( рис. 5) показывает полное отсутствие наклонных дислокаций, характерных для эпитаксиальных слоев, наращенных на подложках после обработки алмазной пастой, плотность же дефектов упаковки не снижается. Как показывает электронно-микроскопический анализ, природа их остается той же, что и для случая обработки подложки алмазной пастой. Видимо, и причина их образования как в том, так и в другом случае одна и та же. [48]
При снятии поверхностного деформированного слоя на глубину около 500 А ( рис. 2, б) плотность дислокаций резко падает и при более глубоком последовательном удалении поверхностных слоев плотность дислокаций все более уменьшается. И, наконец, при снятии слоя толщиной 10 000 А ( рис. 2, в) структура стали становится аналогичной исходной структуре отжига ( ср. При клинопрессовой сварке стали с более мягким материалом уменьшается величина контактных напряжений и соответственно должна уменьшаться глубина деформированного приповерхностного слоя на стали. Это подтвердилось при послойном электронно-микроскопическом анализе поверхностных слоев стали Х18Н9Т после запрессовки в алюминий АД1 при температуре 400 С. При снятии с контактной поверхности слоя глубиной 200 А плотность дислокаций резко падает, а при снятии слоя толщиной 500 А структура стали опять напоминает исходную структуру отжига с низкой исходной плотностью дислокаций. [49]
При этом запорные прослойки могут образовываться по двум причинам. Первая причина - кислород как донорная примесь ( аналог теллура) заряжает границы положительно, тем самым создавая дополнительный барьер для дырок. Вторая - интенсивное окисление на границах блоков с образованием второй фазы, которая обладает свойствами широкозонного полупроводника. Об образовании окисных слоев свидетельствуют данные электронно-графических и электронно-микроскопических анализов. После отжига при Готж - 315 С в пленках появляются включения, дающие поликристаллические кольца на электронограммах. [50]
При этом запорные прослойки могут образовываться по двум причинам. Первая причина - кислород как допорная примесь ( аналог теллура) заряжает границы положительно, тем самым создавая дополнительный барьер для дырок. Вторая - интенсивное окисление на границах блоков с образованием второй фазыг которая обладает свойствами широкозонного полупроводника. Об образовании окисных слоев свидетельствуют данные электронно-графических и электронно-микроскопических анализов. После отжига при Готж - 315 С в пленках появляются включения, дающие поликристаллические кольца на электронограммах. [51]
Упоминания о промышленном использовании нафионовых мембран встречаются в литературе достаточно часто, но описанию их молекулярной структуры посвящено ограниченное число публикаций. В работе [1] на основании данных по рентгеновскому малоугловому рассеянию сделано предположение о существовании в полимере ионных кластеров. Для объяснения основных свойств нафионовых мембран предложена модель [2], согласно которой вымоченная в воде мембрана содержит ионные кластеры средним диаметром 40 А. Экспериментальное подтверждение этой модели основано на использовании следующих методов: малоугловое рентгеновское рассеяние, электронно-микроскопический анализ и измерение диффузии воды. Для получения более детальной информации о гетерофазной структуре мембран нами проведены измерения теплоты абсорбции воды, малоуглового рентгеновского и нейтронного рассеяния, а также спектров ЯМР и квазиэластического рассеяния нейтронов для образцов, содержащих различные количества воды. [52]
Повышенная скорость растворения материала может быть связана с упругими искажениями решетки кристалла вблизи дислокации, а также с повышенной концентрацией примесных атомов, изменяющей хим. состав материала вблизи ядра дислокаций. Иногда примеси замедляют преимущественное растворение, уменьшая искажения решетки. Полнота выявления дислокаций зависит от количества и природы примесей в кристалле, состава травителя, режима травления, кристаллографической ориентации исследуемой поверхности, типа дислокации, угла выхода дислокации на поверхность, термической обработки материала ( дислокации свежие или остаренные) и др. Иногда фигуры травления возникают в местах, где дислокаций нет, напр. Для каждого материала тра-витель подбирают отдельно, убеждаясь в том, что ямки травления соответствуют местам выхода дислокаций. Для этого достаточно одного из следующих условий: результаты травления и выявления дислокаций каким-либо методом в объеме образца должны совпадать ( см. Электронно-микроскопический анализ, Рентгено-топографический анализ, Декорирование); на двух поверхностях скола кристалла распределение ямок травления должно быть зеркальным отражением друг друга; если цепочка ямок травления образует субгрэницу и можно определить угол разориента-ции ( напр. Ямки травления изучают, как правило, с помощью оптического металлографического микроскопа. [53]
При изучении морфологической картины образования аустенита и его структуры ценную информацию дает метод высокотемпературной металлографии в сочетании с избирательным окислением. При обычном методе вакуумного травления, несмотря на четкий рельеф, образующийся на поверхности образцов, не удается идентифицировать а - и 7-фазы в межкритическом интервале. Это объясняется примерно одинаковыми скоростями испарения атомов обеих фаз. В сочетании же с избирательным окислением эту задачу удается решить. В результате взаимодействия с кислородом на участках а-фазы вследствие ее большей химической активности возникает окисная пленка большей толщины, чем в местах образования аустенита. В результате а - и у-фазы приобретают разную окраску и становятся легко различимыми. Этот метод в сочетании с электронно-микроскопическим анализом рельефа, формирующегося в результате вакуумного травления, позволяет получить сведения и о субструктурных особенностях высокотемпературных фаз. [54]
При изучении морфологической картины образования аустенита и его структуры ценную информацию дает метод высокотемпературной металлографии в сочетании с избирательным окислением. При обычном методе вакуумного травления, несмотря на четкий рельеф, образующийся на поверхности образцов, не удается идентифицировать а - и 7-фазы в межкритическом интервале. Это объясняется примерно одинаковыми скоростями испарения атомов обеих фаз. В сочетании же с избирательным окислением эту задачу удается решить. В результате взаимодействия с кислородом на участках а-фазы вследствие ее большей химической активности возникает окисная пленка большей толщины, чем в местах образования аустенита. В результате а - и 7-фазы приобретают разную окраску и становятся легко различимыми. Этот метод в сочетании с электронно-микроскопическим анализом рельефа, формирующегося в результате вакуумного травления, позволяет получить сведения и о субструктурных особенностях высокотемпературных фаз. [55]
Страницы: 1 2 3 4