Величина - емкость - переход
Cтраница 1
Величина емкости перехода С0 прямо пропорциональна площа-ди перехода. [1]
 |
Интегральный диод. [2] |
Величина емкости перехода коллектор-подложка для маломощных структур имеет величину от 2 до 5 пФ и существенно сказывается на быстродействии транзистора. [3]
Как известно, величина емкости перехода коллектор - база транзистора есть функция приложенного к нему напряжения, в связи с чем возникает возможность использования этого перехода в качестве варактора для умножения частоты. При наличии на входе транзистора высокочастотного сигнала усиленное напряжение оказывается приложенным к его коллекторному переходу и вызывает модуляцию емкости коллектор-база, что и приводит к параметрической генерации гармоник. Таким образом, транзистор одновременно используется как усилитель мощности и как варакторный умножитель частоты на переходе коллектор-база. [4]
Время задержки тэ зависит от величины емкости эмиттерпого перехода и обычно составляет незначит. Время рассасывания тр определяется зарядом, накопленным в базовой и коллекторной областях транзистора, их размерами, временем жизни носителей заряда в этих областях и особенно условиями запирания. [6]
В последнем случае для снижения величины емкости перехода целесообразно увеличивать до предельного значения напряжения на транзисторе. [7]
Из анализа формул, определяющих величину емкости р-п перехода, следует, что при изменении температуры более всего меняется величина контактной разности потенциалов. Поскольку влияние разности потенциалов сказывается тем сильнее, чем меньше величина приложенного к варикапу напряжения, то, очевидно, ТКЕ варикапа будет увеличиваться с уменьшением внешнего приложенного напряжения. [8]
Следует заметить, что в отличие от ламп величина емкости перехода транзистора зависит от приложенного к нему напряжения. [9]
Изменение напряжения смещения прежде всего непосредственно влияет на величину емкости перехода ТД. [10]
Другим немаловажным фактором, определяющим работоспособность транзисторов на высоких частотах, является величина емкости перехода. Как уже было отмечено, электронно-дырочный переход обладает емкостными свойствами. С ростом запирающего смещения а переходе ширина перехода увеличивается, а емкость его уменьшается; эту емкость называют зарядной емкостью р-п перехода. При прямом смещении и высоком уровне ин-жекции ширина перехода уменьшается, а емкость его увеличивается. [11]
Приходится прибегать к схемам компенсации, когда сигнал дифференцируется, усиливается и смешивается в противофазе с сигналом, проходящим по емкости перехода. Однако такие меры могут только снизить помеху, а не устранить ее полностью, так как величина емкости перехода, как уже неоднократно указывалось, зависит от соотношения между амплитудой сигнала и пороговым потенциалом. [12]
При построении счетных устройств скорость опрокидывания триггера приобретает первостепенное значение. При выборе емкости С1 исходят из учета частотных свойств использованных триодов и в первую очередь частотной зависимости параметра Р и величин емкостей переходов. [13]
Страницы: 1